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[讨论] 三极管饱和条件

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发表于 2014-10-9 09:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:27 编辑

1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制

基极电流达到多少时三极管饱和?

这个值应该是不固定的,它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,

基极信号大小有关.

另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。

饱和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和

一般判断饱和的直接依据还是防大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数

例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和

Ic/Ib<1应该属于深饱和了

用三极管可以考虑以下几点:

1)耐压够不够

2)负载电流够不够大

3)速度够不够快(有时却是要慢速)

4)B极控制电流够不够

5)有时可能考虑功率问题

6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。

7)增益

来源:EEWorld 模拟与混合信号板块,转载请附上链接


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五彩晶圆(初级)

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发表于 2014-10-9 20:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:27 编辑

谢谢楼主的分享。我有个小小的问题,因为用的不深,不知道哪些场合要选开关速度慢的三极管呢?谢谢。
这孩子,成熟的象征,理智的典范。


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 楼主| 发表于 2014-10-10 08:24 | 显示全部楼层
当然是看开关频率低的地方
比如水温传感器,还有利用光感应的地方进行开关量输出


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一粒金砂(中级)

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发表于 2014-10-10 09:01 | 显示全部楼层
学习了,谢谢楼主分享!


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五彩晶圆(初级)

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发表于 2014-10-10 10:16 | 显示全部楼层
学习了啊 谢谢楼主的分享


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纯净的硅(中级)

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发表于 2014-10-11 18:43 | 显示全部楼层
支持下,谢谢分享;


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