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[经典电路分析] N沟道耗尽型MOS管

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五彩晶圆(中级)

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发表于 2012-12-3 09:50:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS>0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

图1(b)、(c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

在饱和区内,耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同,即

                

(a)

(b)

(c)

图1



[ 本帖最后由 qinkaiabc 于 2012-12-3 01:51 编辑 ]
此帖出自模拟电子论坛

点评

现在耗尽型MOS管较少。 但高频大功率的MOS管多使用耗尽型。  详情 回复 发表于 2012-12-3 15:00

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发表于 2012-12-3 14:17:12 | 显示全部楼层
楼主贴的资料很好哦,,欢迎下文,,

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版主

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发表于 2012-12-3 15:00:44 | 显示全部楼层

回复 楼主 qinkaiabc 的帖子

现在耗尽型MOS管较少。
但高频大功率的MOS管多使用耗尽型。

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