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FRAM VS MRAM(非易失性存储器)

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一粒金砂(中级)

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发表于 2012-10-18 14:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

SRAMSUN是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM
是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。


主要代理MRAM(非易失性存储器),可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAMEEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:

串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit

型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP


并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA
MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA


并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA


产品可完全替代FRAM(铁电存储器),NV-SRAM,MRAM.
如以下型号:

CY14B064I CY14ME064 CY14B101KA CY14B108N
CY14B064P CY14B101Q CY14B101LA CY14B256KA
CY14B101Q CY14C101J CY14B101MA CY14E256LA
CY14B101I CY14B256P CY14B101NA CY14V101LA
CY14C101I CY14B256Q CY14B104K CY14V101NA
CY14B101P CY14B512I CY14B104LA CY14V104LA
CY14E256Q CY14B512P CY14B104M CY14V104NA
CY14MB064 CY14B512Q CY14B104NA STK11C88
CY14MB256 CY14B101Q CY14B108K STK14C88
CY14B108M STK16C88 CY14B108L STK15C88


FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08
FM22L16 FM25V10 FM18L08 FM1808B
FM22LD16 FM25V05 FM24C512 FM28V010
FM21L16 FM25V02 FM24L256 FM25L256B
FM21LD16 FM25W256 FM24C256 FM25256B
FM28V100 FM25V01 FM24V05 FM24V10
FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01
FM24V02

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-----------------------------
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英尚国际有限公司)
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