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[求助] 刚学模电,遇到问题。。。小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?

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一粒金砂(初级)

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发表于 2010-10-24 23:14:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀。
如果NPN管,VCE=0..5V,VBE=0.7V,按理说都是正向偏置,但是VCE大于0.3啊,那这算什么。。?
就没一本书上讲得透彻的。求高人指点。
此帖出自模拟电子论坛


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五彩晶圆(初级)

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荣誉会员勋章

发表于 2010-10-25 09:48:35 | 显示全部楼层

回复 楼主 wwwwwsltt 的帖子

Vce=Vcb+Vbe
工程 = 数学+物理+经济


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纯净的硅(中级)

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发表于 2010-10-25 14:09:25 | 显示全部楼层

书上说的是

典型值,这与半导体特性有关,随着温度的变化,整个电压的变化。可参考二极管的压降温度曲线


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一粒金砂(初级)

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发表于 2010-10-28 00:20:23 | 显示全部楼层
同问,哪位知道的高人请详细讲一下,谢谢


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裸片初长成(初级)

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发表于 2010-10-28 10:10:49 | 显示全部楼层

三极管的特性

当Ib增加到使Vce下降到0.3V左右时不再下降,也就是说,饱和了。
硅管的发射结处于正偏时,Vbe最多能达到0.7V左右。除非你继续灌大电流把发射结烧坏,否则不会再变大了。
不知书上对放大区和饱和区有没精确定义,俺觉得两者的交接处是模糊的,并不需要很明确。事实是,处于放大状态的三极管在接近饱和区时已呈明显的非线性,没什么放大意义了,人们不会这么用的。说“临界饱和时Vce=Vbe”没错,可以理解为“临界饱和”≠饱和,但接近饱和,就对了。想起毛太祖的词“不似春光,胜似春光”,模糊的境界是很美的。


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一粒金砂(中级)

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发表于 2010-10-29 11:06:56 | 显示全部楼层
等待高人来解答。。。


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五彩晶圆(中级)

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发表于 2010-11-4 14:56:38 | 显示全部楼层
0.5V 才是真的临界饱和,完全饱和时Uce≦0.3V,而Ube的门限是0.35V。
理论还需理论解!


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一粒金砂(初级)

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发表于 2010-11-4 15:22:59 | 显示全部楼层
同问。。。 哪位高人来回答哦


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一粒金砂(中级)

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发表于 2010-11-4 22:21:07 | 显示全部楼层
我学习了上面两位大师的讲解,瞒不多的!!


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