社区导航

 

搜索
查看: 2983|回复: 1

[讨论] DS1230Y DS1230AB 电源IC的具体分析

[复制链接]

49

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

Rank: 1

发表于 2010-8-9 10:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
DS1230Y DS1230AB 原装正品现货!

DS1230Y DS1230AB 描述
该ds1230 256 K的非易失性SRAM的是262144位,完全静态的,非挥发性SRAM的有组织的作为
32768字,由8位。每个NV公司的SRAM有一个自我包含的锂能源的来源及控制电路
它不断地监控vcc为一个彻头彻尾的耐受性条件。当这种情况发生,
锂能源的来源是自动切换,并写保护是无条件地使
防止数据损坏。提拉包ds1230的器件可用于在的地方,现有的32K的× 8静态
公羊直接顺应民意bytewide 28引脚DIP标准。倾角器件还匹配
引脚的28256 eeproms ,可直接替代,而提高性能。 ds1230设备
在低调模组封装专为表面贴装应用。有没有
数量限制写入周期可以执行,并没有额外的支持电路所需的
微处理器的接口。
  
读方式
该ds1230设备执行一个读周期,每当我们(写启用)是无效的(高)和CE (芯片
启用)和oe (输出使能)活跃(低) 。独特的指定的地址由15地址的投入
(的A0 -答1 4)的定义,其中的3 2768字节的数据是访问。有效的数据将提供给
8数据输出驱动器内部tacc (存取时间)后,去年地址输入信号的稳定,提供
行政长官和oe (输出使能)的存取时间也感到满意。如果OE和行政长官访问时间不
满意的话,数据存取必须加以衡量,从后来发生的信号( CE或光电)和限制
参数是TCO为行政长官或足趾为光电,而非地址访问。
  
写模式
该ds1230设备执行写周期时,我们和CE信号是积极的(低)后,
地址输入稳定。后来发生的下降沿行政长官或我们将决定开始的
写周期。该写周期终止先前的上升沿行政长官或我们。所有的地址必须投入
保持有效的整个写周期。我们必须返回到高的国家为最低恢复时间
( twr )之前,另一个周期可以启动。该光电控制信号应保持无效(高)期间
写入周期,以避免巴士争议的焦点。不过,如果输出驱动器启用(行政长官和oe有源) ,然后
我们将禁用的产出todw从下降沿。
  
数据保存模式
该ds1230ab提供完整的功能的能力vcc大于4.75伏特,和写保护,由
4.5伏特。该ds1230y提供完整的功能的能力vcc大于4.5伏特和收件
保护由4.25伏特。数据是保持在缺乏vcc没有任何额外的支持电路。
这种非易失静态公羊,不断监察vcc 。应电力供应的电压衰减, NV公司SRAM的
自动写保护自己,所有的投入,成为“不关心” ,和所有的产出,成为高
阻抗。作为vcc低于大约3.0伏特的电压,电源开关电路连接锂
能源来源的RAM保存数据。期间,电,当vcc上升到高于大约3.0伏特
电源开关电路连接外部vcc到RAM和断开锂能源的来源。
RAM的正常运作,就可以恢复后, vcc超过4.75伏特,为ds1230ab和4.5伏特的电压为
ds1230y 。
  
保鲜密封
每个ds1230装置是发运由Dallas半导体与它的锂能源的来源中断,
保证充分的能源的能力。当vcc是首次应用在一定的水平上大于4.25伏特的电压,锂
能源来源是使电池回的后续行动。

DS1230Y DS1230AB 引脚图
此帖出自LED专区论坛

好货,价优

好货,价优
诚信交易!


14

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

Rank: 1

发表于 2010-8-9 13:34 | 显示全部楼层
没沟不火、、老衲路过而已
质量为本!灵活经营!


回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

关闭

站长推荐上一条 /7 下一条

  • 论坛活动 E手掌握

    扫码关注
    EEWORLD 官方微信

  • EE福利  唾手可得

    扫码关注
    EE福利 唾手可得

Archiver|手机版|小黑屋|电子工程世界 ( 京ICP证 060456 )

GMT+8, 2020-2-28 09:54 , Processed in 0.115479 second(s), 19 queries , Gzip On, MemCache On.

快速回复 返回顶部 返回列表