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[问题]flash擦除时间很怪啊

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-1-23 11:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
下载bootloader要擦除flash(spansion s29gl032a)
汇编写的
flash容量4M
扇区:8x8k,63x64k
bootloader只用了64k,故只擦除了前64k,结果时间很长,要60s左右
经过测试发现:
擦除大小 时间
8k        7s
16k       15s
32k       30s
64k       66s
256k      67s
1M        68s
2M        71s
3M        76s
4M        82s
我曾经写过3M和1.4M的大文件,用仿真器看,也写正确了
这种情况正常吗?
datssheet上说:
chip erase type 32s  max 64s
sector erase type 0.5s  max 3.5
关键现在擦除时间不是按擦除块数线性增加
很烦燥啊,打不到原因

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-1-23 13:54 | 显示全部楼层
Flash就是这样,编程和擦除操作不是固定时间,只给你保证不超过一个最大时间。所以要通过那些个Toggle未来检测他有没有干完活。

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-1-29 19:47 | 显示全部楼层
问题解决了
原来spansion命令序列要偏移地址,这些地址都>255
在arm汇编下立即数只是<=255,所以用ldr
ldr太慢了才会这样

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-3-5 00:08 | 显示全部楼层
是这样啊?
我有点不相信喔。

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-3-5 10:15 | 显示全部楼层
请教楼主,你的烧写工具是什么?
我最近也在使用该款NOR FLASH芯片,但是现在一直烧不进去,用FLASH ACCESS 读ID的时候,也只能读出 DEVICE ID = 0X227E,VENDOR ID = 0X227F(应该是0X01),擦除和写入都不行!极其郁闷当中...恳请帮助!!

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一粒金砂(初级)

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发表于 2007-3-12 15:54 | 显示全部楼层
4M的flash擦除要82s这么久??

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一粒金砂(初级)

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发表于 2009-8-25 10:11 | 显示全部楼层
那时间太久了,会不是是时序配置的问题

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