关于nand flash读写问题

joe88

关于nand flash读写问题 [复制链接]

我板子上的芯片是K9f1208,现在有个疑问就是由于该芯片一个page大小为A:256(Bytes) B:256(Bytes) C:16(Bytes),在写这个page的时候,我看到有些代码是直接按如下的方式进行读取的:

static void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)   //addr表示flash中的第几页，即‘flash地址>>9’
{
U16 i;
NFChipEn();   //使能NandFlash
WrNFCmd(READCMD0); //发送读指令‘0x00’，由于是整页读取，所以选用指令‘0x00’
WrNFAddr(0);   //写地址的第1个cycle，即Column Address，由于是整页读取所以取0
WrNFAddr(addr);   //写地址的第2个cycle，即A[9:16]
WrNFAddr(addr>>8);   //写地址的第3个cycle，即A[17:24]
WrNFAddr(addr>>16); //写地址的第4个cycle，即A[25]。
WaitNFBusy(); //等待系统不忙
for(i=0; i<512; i++)
   buf = RdNFDat(); //循环读出1页数据
NFChipDs();   //释放NandFlash
}

这里我觉得就奇怪了,芯片文档里面写了,如果要读取一个Page里B区域时候,我们是先需要WrNFCmd(0x1)让我们选中这个B区域时才能进入操作,怎么这个代码里面直接就一直读取512个字节阿,不是分开先读一个page里的A区域,然后是B区域么,难不成是2440的nand flash控制器自己做了其他操作么?

lizengmao

谢谢大大了，我读datasheet得不是很仔细，这下明白了，代码只是示例代码，校验问题再研究了