求助，有关IR2110自举电容选型

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求助，有关IR2110自举电容选型 [复制链接]

 

各位大佬！小弟我想用ir2110做一个+-500V，1MHz左右的全桥驱动。用Multisim仿真时大致能满足要求，但实际搭建电路的时候碰到了问题。这个自举电容需要容值1uF，耐压500V+，选来选去只有贴片电容(MLCC)和铝电解电容能用，陶瓷电容没找到这么高耐压的。但是我在别处看到的选型原则是自举电容不能用电解电容，那该咋办T T，用贴片电容吗？我先用电解电容试做了一下，结果波形没出来，想排查一下是不是自举电容的问题。各位大佬能帮小弟分析一下这个自居电容该咋选吗？感激不尽！

↑仿真电路图

 

↑现在的原理图，滤波电容和自举电容都用的是铝电解电容

tagetage

你的电路的问题我不清楚，但是你要买电容我可以告诉你。你在某宝搜索 ，高压电容 1uF就可以了。

我看下面这款无极性的电容就可以。

CBB21/81高压薄膜电容器 1000V/1600V/2000V105J

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tagetage 发表于 2024-6-11 20:02 你的电路的问题我不清楚，但是你要买电容我可以告诉你。你在某宝搜索 ，高压电容 1uF就可以了。 我看下 ...

感谢大佬回复。cbb电容我之前没怎么用过，查了一下资料，确实能用于高频高压。我就先用cbb电容试一下。非常感谢！

beyond_笑谈

“ 这个自举电容需要容值1uF，耐压500V+，”

自举电容两端的压降没有这么高，采用MLCC就行，可以先抓一下电容两端的压降确认一下。

beyond_笑谈

根据IR2110的规格书也能看得出来，自举电容的两端压降是 Vbootstrap = VB - VS

 

 

beyond_笑谈

如果抓一下自举电容两端的电压波形就会知道，并不是直流电压波形，所以不能采用电解电容。

qwqwqw2088

自举电容不能用电解电容，有极性，容易引起误导通。要选择无极性的电容，如MLCC或陶瓷电容等。

再说电解就不适合在高频的场合，且不说的ESR相比其他类电容高

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beyond_笑谈 发表于 2024-6-11 21:50 “ 这个自举电容需要容值1uF，耐压500V+，” 自举电容两端的压降没有这么高，采用MLCC就行， ...

感谢版主回复。后来我用示波器看了自举电容两端电压，确实不高，只有10V左右。之前看的是对地电压有400多伏，误以为压降很高。我的仿真分析还是没做好。

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qwqwqw2088 发表于 2024-6-11 22:05 自举电容不能用电解电容，有极性，容易引起误导通。要选择无极性的电容，如MLCC或陶瓷电容等。 再说电解 ...

感谢版主回复。之前我测得自举电容对地电压有400多伏，误以为两端压降也很高，后来经另一位版主提醒，用示波器看了两端电压，确实不高，只有10V左右。这样选型就容易很多，陶瓷电容也可以用了。我之前的分析还是没做到位。

beyond_笑谈

305772911 发表于 2024-6-12 09:00 感谢版主回复。后来我用示波器看了自举电容两端电压，确实不高，只有10V左右。之前看的是对地电压有400多 ...

自举电容两端的压降 = 12V - US1M正向导通压降 - IR2110内部导通压降 -  IRFGP40导通压降

不亦心

1.自举电容耐压取决于你供电电压；2.2110的耐压max500V，你vbus就500V，是不能用的；3，1MHz对2110来说，很吃力

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不亦心 发表于 2024-6-12 12:58 1.自举电容耐压取决于你供电电压；2.2110的耐压max500V，你vbus就500V，是不能用的；3，1MHz对2110来说，很 ...

感谢回复！我看2110规格书里写着Fully operational to +600V，500V应该可以吧。如果不行我尝试降到450V左右。网上大多回答说2110频率是500kHz，我用1MHz仿真没出现问题，就先做着试试吧。

更正：VB=600V的是2113，这两芯片规格书是一起的。2110最高是525V。

 

maychang

注意红色下划线处两个参数。

工作频率1MHz，半个周期是500ns，120ns的上升时间你能否接受？