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MOS管关断参数的疑问:Id电流为何相差这么大? [复制链接]

 
本帖最后由 elec32156 于 2024-3-6 09:22 编辑
        看MOS管关断时的参数,有个地方没有看明白,如下图所示,测试条件为零栅压、Id = 250uA时,测得的最小V(BR)DSS是30V。但同样是零栅压,Vds施加30V电压测得的最大Idss却是1uA,为何Id前后不一致还相差这么大呢?
 
 

 

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楼上说施加余量是正解,也就是说Vdss的30V和Idss的30V不是一个含义。Vdss的30V是给定一个大电流使管子击穿后测出这个击穿电压,这个击穿电压可能是35V,38V,40V等等,但是额定值要放余量,所以按照某些规则或习惯就把Vdss额定值定为30V,这个30是人为定的,不是实际击穿的电压,所以你看到这个30V是最小值,也就是给你一万个管子,我保证你30v不会被击穿,因为有余量。。。然后有了这个额定值,再测出在这个额定值下的最大漏电流。。。   详情 回复 发表于 2024-12-20 09:28
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这个Vds和V(br)dss是否有区别,或是测试条件不同所引起的差异呢
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没有差异啊,都是漏源电压,条件都是栅极电压为0V。  详情 回复 发表于 2024-3-8 14:40
 
 

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lansebuluo 发表于 2024-3-8 09:00 这个Vds和V(br)dss是否有区别,或是测试条件不同所引起的差异呢

没有差异啊,都是漏源电压,条件都是栅极电压为0V。

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大佬你看一下,工作温度,一个是电压,一个是电流,描的参数环境不一样吧。

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测试条件为零栅压、Id = 250uA时,测得的最小V(BR)DSS是30V

但同样是零栅压,Vds施加30V电压测得的最大Idss却是1uA

为何Id前后不一致还相差这么大呢?------因为一个是MOS管损坏的状态,一个是MOS管好用的状态。30V就是分界点。

你看看东芝的MOS参数测量。

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/faq/mosfet/electrical-characteristics-of-mosfets_static-characteristics_igss_idss_v-br-dss-v-br-dxs.html

 

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①  关于Vbr(DSS),我是这样理解的:厂家将漏极电流达到250uA时定义为击穿,例如测试500颗样品,全部让漏电流达到250uA,发现最小的Vds电压是40V(例如500个里面,只有一颗是40V,其余全是高于40V),那么取这  详情 回复 发表于 2024-3-10 19:33
 
 
 
 

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Idss是1uA是mos管30V以下的状态,Id = 250uA是测试时恒流源的设定值。

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本帖最后由 OAIOIC 于 2024-3-9 20:40 编辑

一张电压电流图可以 解释楼主的疑问,通常厂家制造的MOS管,对应规格书上的数据都有余量,如图所示。目前表称电压(示例中VDS=30V)下的 IDSS漏电基本都能做到几个nA 

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没看到图呢?  详情 回复 发表于 2024-3-10 19:35
 
 
 
 

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本帖最后由 elec32156 于 2024-3-10 19:35 编辑
tagetage 发表于 2024-3-8 16:52 测试条件为零栅压、Id = 250uA时,测得的最小V(BR)DSS是30V。 但同样是零栅压,Vds施加30V电压测得的最 ...

①  关于Vbr(DSS),我是这样理解的:厂家将漏极电流达到250uA时定义为击穿,例如测试500颗样品,全部让漏电流达到250uA,发现最小的Vds电压是40V(例如500个里面,只有一颗是40V,其余全是高于40V),那么取这个最小值40V作为击穿电压,就能保证用户在Vds电压低于40V时,漏电流低于250uA(不发生击穿)。

 

②  关于IDSS,我是这样理解的:还是取500颗样品,全部加40V的Vds(常温),发现最大漏电流是1uA(例如500个里面,只测得一颗是1uA,其余全是低于1uA),那么取最大值1uA作为截止电流,就能保证用户在Vds电压低于40V时,漏电流低于1uA(截止)。

如果以上理解没错,那①和②的结论就是矛盾的。

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V (BR)DSS 是漏极和源极之间的击穿电压。电气特性以最小值规定,并为电路操作的安全性对实际值施加了余量。 施加了余量,施加了余量,施加了余量。 比如40V的管子V (BR)DSS 就写30V,然后在30V电压下测量漏电流低  详情 回复 发表于 2024-3-10 21:18
 
 
 
 

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OAIOIC 发表于 2024-3-9 20:39 一张电压电流图可以 解释楼主的疑问,通常厂家制造的MOS管,对应规格书上的数据都有余量,如图所示。目 ...

没看到图呢?

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elec32156 发表于 2024-3-10 19:33 ①  关于Vbr(DSS),我是这样理解的:厂家将漏极电流达到250uA时定义为击穿,例如测试500颗样品, ...

V (BR)DSS 是漏极和源极之间的击穿电压。电气特性以最小值规定,并为电路操作的安全性对实际值施加了余量。

施加了余量,施加了余量,施加了余量。 比如40V的管子V (BR)DSS 就写30V,然后在30V电压下测量漏电流低于1uA(截止)。

 

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你的意思是我首贴图中的V(BR)DSS为30V,这个30V是已经加了余量的?在250uA的反向击穿电流条件下,厂家实际测试的电压数据都在30V以上?  详情 回复 发表于 2024-3-11 09:29
 
 
 
 

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tagetage 发表于 2024-3-10 21:18 V (BR)DSS 是漏极和源极之间的击穿电压。电气特性以最小值规定,并为电路操作的安全性对实际值施加了余量 ...

你的意思是我首贴图中的V(BR)DSS为30V,这个30V是已经加了余量的?在250uA的反向击穿电流条件下,厂家实际测试的电压数据都在30V以上?

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是的。  详情 回复 发表于 2024-3-11 12:43
 
 
 
 

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elec32156 发表于 2024-3-11 09:29 你的意思是我首贴图中的V(BR)DSS为30V,这个30V是已经加了余量的?在250uA的反向击穿电流条件下,厂家实 ...

是的。

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楼上说施加余量是正解,也就是说Vdss的30V和Idss的30V不是一个含义。Vdss的30V是给定一个大电流使管子击穿后测出这个击穿电压,这个击穿电压可能是35V,38V,40V等等,但是额定值要放余量,所以按照某些规则或习惯就把Vdss额定值定为30V,这个30是人为定的,不是实际击穿的电压,所以你看到这个30V是最小值,也就是给你一万个管子,我保证你30v不会被击穿,因为有余量。。。然后有了这个额定值,再测出在这个额定值下的最大漏电流。。。

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