MOS管驱动电阻反并联二极管都不加电阻了吗？

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MOS管驱动电阻反并联二极管都不加电阻了吗？ [复制链接]

 

求助各位大牛

今天遇到一个图纸，Q1驱动电阻上反并联的二极管上并没有电阻，那么这个Q1关断的时候，电流不会过大吗？

 

正常的不应该是这样的吗？

 

maychang

【这个Q1关断的时候，电流不会过大吗？】

所谓【过大】，无非是超出芯片U1的允许值。这些反激专用驱动芯片，最大允许输出电流峰值都在1A以上（比1N4148允许电流峰值还要大），通常不会损坏。

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maychang 发表于 2023-7-27 12:27 【这个Q1关断的时候，电流不会过大吗？】 所谓【过大】，无非是超出芯片U1的允许值。这些反激专用驱动芯 ...

收到，感谢版主回复

chunyang

MOS管的栅容很小，而考量电流是否过大必须同时考虑时间，即电流的积分。

led2015

常见的做法是将MOS管的驱动电阻与二极管反并联来提高开关速度和减小功率损耗。

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chunyang 发表于 2023-7-27 15:22 MOS管的栅容很小，而考量电流是否过大必须同时考虑时间，即电流的积分。

是的，这个电容放电过程很短，目前测试二极管没串电阻，工作没问题的

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led2015 发表于 2023-7-27 22:38 常见的做法是将MOS管的驱动电阻与二极管反并联来提高开关速度和减小功率损耗。

这个知识点是知道的，我们所用的IGBT的驱动开与关的Rg是不一样的，但关断还是要加电阻的，这个是MOS管反并联二极管不加电阻

不亦心

加上有助于解EMI