不使用光耦的情况下，怎么用5V单片机通过三极管控制12V器件？

sky999

不使用光耦的情况下，怎么用5V单片机通过三极管控制12V器件？ [复制链接]

 

不使用光耦的情况下，5V单片机的IO怎么通过三极管控制12V器件？

maychang

再加一支三极管，控制“控制12V器件”的那个三极管即可。

sky999

maychang 发表于 2023-7-25 20:01 再加一支三极管，控制“控制12V器件”的那个三极管即可。

是这样吗？R4有必要加吗？

 

 

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 20:47 是这样吗？R4有必要加吗？    

【是这样吗？】

大致是如此。R6数值需要计算一下，以Q5饱和时Q4能够得到足够基极电流为准。

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 20:47 是这样吗？R4有必要加吗？    

【R4有必要加吗？】

R4不应该接5V，应该接地。

如果单片机的I/O口是弱上拉，那么从单片机I/O引脚到5V应该接上拉电阻，此时R3可以去掉（短路）。这个上拉电阻可以视为R4。

sky999

maychang 发表于 2023-7-25 21:01 【R4有必要加吗？】 R4不应该接5V，应该接地。 如果单片机的I/O口是弱上拉，那么从单片机I/O引脚到 ...

R3可以去掉？那Q5的基极电流不会太大吗？

 

sky999

maychang 发表于 2023-7-25 20:57 【是这样吗？】 大致是如此。R6数值需要计算一下，以Q5饱和时Q4能够得到足够基极电流为准。

R6的计算是不是    “12V-0.7/(负载电流/增益倍数)”

sky999

maychang 发表于 2023-7-25 21:01 【R4有必要加吗？】 R4不应该接5V，应该接地。 如果单片机的I/O口是弱上拉，那么从单片机I/O引脚到 ...

下图是刷抖音时看到的一个视频讲解，直接用5v去控制三极管接一个12V的LED，这样不会烧IO吗？

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sky999

maychang 发表于 2023-7-25 20:57 【是这样吗？】 大致是如此。R6数值需要计算一下，以Q5饱和时Q4能够得到足够基极电流为准。

如果Q4是PMOS管是不是也可以

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 22:03 下图是刷抖音时看到的一个视频讲解，直接用5v去控制三极管接一个12V的LED，这样不会烧IO吗？ 、

【直接用5v去控制三极管接一个12V的LED，这样不会烧IO吗？】

不会。除非三极管已经损坏（集电结被击穿），否则单片机不会受影响。

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 21:57 R3可以去掉？那Q5的基极电流不会太大吗？  

【R3可以去掉？那Q5的基极电流不会太大吗？】

注意5楼前提条件【如果单片机的I/O口是弱上拉】。【单片机的I/O口弱上拉】的意思，是单片机I/O口为三极管下拉，上拉则是靠单片机内部电阻。此时如果单片机I/O口高电平，注入三极管基极的电流全靠单片机内部上拉电阻，所以注入三极管基极的电流很有限。多数情况，靠单片机弱上拉所能够输出的电流不足以使三极管饱和导通，还需要在单片机外部另加上拉电阻。这就是5楼后面那句【那么从单片机I/O引脚到5V应该接上拉电阻】的由来。

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 21:57 R3可以去掉？那Q5的基极电流不会太大吗？  

【R3可以去掉？那Q5的基极电流不会太大吗？】

如果单片机I/O口不是弱上拉，R3当然不能去掉。

tagetage

R4上边不应该接5V，应该接地。

maychang

sky999 发表于 2023-7-25 22:01 R6的计算是不是    “12V-0.7/(负载电流/增益倍数)”

大致上是这样。

实际使用的数值，在此值基础上减半，甚至减到三分之一，比较可靠。

sky999

maychang 发表于 2023-7-26 08:56 【直接用5v去控制三极管接一个12V的LED，这样不会烧IO吗？】 不会。除非三极管已经损坏（集电结被击穿 ...

那8楼这个图是可以正常使用的吗？我怎么总觉得怪怪的

sky999

maychang 发表于 2023-7-26 09:22 大致上是这样。 实际使用的数值，在此值基础上减半，甚至减到三分之一，比较可靠。

如果Q4是PMOS管,R6怎么算？还是说用10R就可以？

maychang

sky999 发表于 2023-7-26 11:23 那8楼这个图是可以正常使用的吗？我怎么总觉得怪怪的

8楼的电原理图，如果单片机I/O口是强上拉，R3可以用得更小一些，例如3.3千欧，或者2.7千欧。以保证Q5能够进入饱和。

另外，还要注意单片机I/O口是强上拉还是弱上拉。如果是弱上拉，那么单片机不能给出1mA电流。此时单片机I/O口应该加上拉电阻，例如4.7千欧或者3.3千欧，同时R3可以短路。

maychang

sky999 发表于 2023-7-26 11:25 如果Q4是PMOS管,R6怎么算？还是说用10R就可以？

首帖图中，Q4用P沟MOS管的话，R6用3~10千欧均可。MOS管的第一个特点，是输入电阻极高，几乎没有输入电流，第二个特点，是门极需要比源极高2~4V才可以导通（对P沟管来说是低2~4V），5~9V才能够饱和导通。R6必须能够使P沟MOS管门极满足上述条件。

秦天qintian0303

图腾柱电路就可以解决小电压控制大电压的问题  

sky999

maychang 发表于 2023-7-26 12:25 8楼的电原理图，如果单片机I/O口是强上拉，R3可以用得更小一些，例如3.3千欧，或者2.7千欧。以保证Q5能够 ...

好的，非常感谢！