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数字芯片供电和输入相关 [复制链接]

 

单路 2 输入异或门sn74lvc1g86

供电为单电源供电(5V),该数字芯片的输入来自于比较器LM393,比较器输出是方波,峰峰值是±5V,这个方波输入到异或门86的时候,对86有影响吗?

仿真来看,86的输出是0~+5V的方波,-5V~0的部分被86芯片给截掉了,这个刚好是我想要的效果,不需要额外的电路和器件去消掉-5V~0的部分,实际是怎样的还不是很清楚

 

sn74lvc1g86.pdf

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好多年不碰这些基础的与非门电路和模拟电路了,看这个问题还有点懵  详情 回复 发表于 2023-6-26 14:29
 
 

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仿真来看,86的输出是0~+5V的方波,-5V~0的部分被86芯片给截掉了

 

image.png

异或门

实际电路应该和仿真是一样的 

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主要是不确定负电平对芯片的影响  详情 回复 发表于 2023-6-25 16:54
 
 
 

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你那个【异或门86】,是什么工艺的芯片?

或者说,是74LS86,还是74HC86?

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COMS工艺的芯片 SN74LVC1G86,首帖有芯片说明书和芯片手册连接  详情 回复 发表于 2023-6-25 16:49
 
 
 

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LM339比较器是OC输出,该芯片输出高电平时具有比较大的输出电阻(等于上拉电阻),但输出低电平时输出电阻非常小。如果靠【异或门86】内部箝位二极管削去负值输入,箝位二极管有过流之虞。

最好是另加【额外的电路和器件去消掉-5V~0的部分】。

仿真是仿不出元器件损坏的。

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[attachimg]708201[/attachimg] 这个是芯片手册给的一个内部结构图  详情 回复 发表于 2023-6-25 16:53
 
 
 

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该异或门的供电为单电源供电(5V),因此有可能会将负电平(-5V到0V)部分截断,输出的方波信号范围为0V到+5V。

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正电源供电的时候,输出不了负电源,但是输入是负电源的时候对芯片有什么影响,这个是未知的  详情 回复 发表于 2023-6-25 16:51
 
 
 

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maychang 发表于 2023-6-25 15:12 你那个【异或门86】,是什么工艺的芯片? 或者说,是74LS86,还是74HC86?

COMS工艺的芯片

SN74LVC1G86,首帖有芯片说明书和芯片手册连接

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led2015 发表于 2023-6-25 16:36 该异或门的供电为单电源供电(5V),因此有可能会将负电平(-5V到0V)部分截断,输出的方波信号范围为0V到+ ...

正电源供电的时候,输出不了负电源,但是输入是负电源的时候对芯片有什么影响,这个是未知的

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maychang 发表于 2023-6-25 15:28 LM339比较器是OC输出,该芯片输出高电平时具有比较大的输出电阻(等于上拉电阻),但输出低电平时输出电阻 ...

ae248739703cbe95888339f67f2c668ff2b5acdada65c1f7d5e9124deb264de9QzpcVXNlcnNcS1Mw.png

这个是芯片手册给的一个内部结构图

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记得LM311比较器芯片有独立的输出接地端。LM311可以在比较器芯片使用正负5V电源电压时输出级仅使用正5V电源,其输出为0~5V。若使用LM311,则不必使用任何箝位措施即可与5V数字芯片配合。  详情 回复 发表于 2023-6-25 18:58
如果不希望在LM339集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联这么大电阻,可以在LM339集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联一个高速二极管,二极管正端接LM393集电极,负端接SN74LVC1G86输入端,另用1千欧电阻联接SN74LVC1G86  详情 回复 发表于 2023-6-25 17:59
为防止LM393输出低电平时损坏SN74LVC1G86内部 clamp diode,可以在LM393集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联一个数千欧电阻。因为SN74LVC1G86输入电阻极高,串联数千欧电阻对LM393输出的高低电平无大影响。LM393工作  详情 回复 发表于 2023-6-25 17:31
我在4楼说的就是此图中左边的二极管。 这个 clamp diode 所允许通过的最大电流,不同芯片有一定差异,但通常只允许数mA电流,超过即可能损坏。但LM393输出低电平时输出的电流却比数mA要大得多。这可能使SN74LVC1G  详情 回复 发表于 2023-6-25 17:28
 
 
 

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qwqwqw2088 发表于 2023-6-25 14:57 仿真来看,86的输出是0~+5V的方波,-5V~0的部分被86芯片给截掉了   异或门 实际电路应该 ...

主要是不确定负电平对芯片的影响

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芯片结构不好判断 需要高手们从内部结构分析理论上推一推   从86的这个异或门的数字逻辑功能上理解,负电平-5V~0的部分被86芯片给截掉,正常    详情 回复 发表于 2023-6-25 17:16
 
 
 

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-25 16:54 主要是不确定负电平对芯片的影响

芯片结构不好判断

需要高手们从内部结构分析理论上推一推

 

从86的这个异或门的数字逻辑功能上理解,负电平-5V~0的部分被86芯片给截掉,正常

 

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用的哪家的仿真软件,sn74lvc1g86的仿真库模型正确,仿真软件也是靠谱的

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仿真软件用的TI的TINA,仿真模型也是TI提供的  详情 回复 发表于 2023-6-26 08:17
 
 
 

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-25 16:53 这个是芯片手册给的一个内部结构图

我在4楼说的就是此图中左边的二极管。

这个 clamp diode 所允许通过的最大电流,不同芯片有一定差异,但通常只允许数mA电流,超过即可能损坏。但LM393输出低电平时输出的电流却比数mA要大得多。这可能使SN74LVC1G86,内部的 clamp diode 损坏。

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-25 16:53 这个是芯片手册给的一个内部结构图

为防止LM393输出低电平时损坏SN74LVC1G86内部 clamp diode,可以在LM393集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联一个数千欧电阻。因为SN74LVC1G86输入电阻极高,串联数千欧电阻对LM393输出的高低电平无大影响。LM393工作频率也不可能非常高,所以也不会影响高频性能。

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-25 16:53 这个是芯片手册给的一个内部结构图

如果不希望在LM339集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联这么大电阻,可以在LM339集电极与SN74LVC1G86输入端之间串联一个高速二极管,二极管正端接LM393集电极,负端接SN74LVC1G86输入端,另用1千欧电阻联接SN74LVC1G86输入端和地。

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-25 16:53 这个是芯片手册给的一个内部结构图

记得LM311比较器芯片有独立的输出接地端。LM311可以在比较器芯片使用正负5V电源电压时输出级仅使用正5V电源,其输出为0~5V。若使用LM311,则不必使用任何箝位措施即可与5V数字芯片配合。

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看了一下手册,发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好  详情 回复 发表于 2023-6-26 08:24
 
 
 

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qwqwqw2088 发表于 2023-6-25 17:18 用的哪家的仿真软件,sn74lvc1g86的仿真库模型正确,仿真软件也是靠谱的

仿真软件用的TI的TINA,仿真模型也是TI提供的

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maychang 发表于 2023-6-25 18:58 记得LM311比较器芯片有独立的输出接地端。LM311可以在比较器芯片使用正负5V电源电压时输出级仅使用正5V电 ...

看了一下手册,发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好

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【发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好】 不仅是具有输出级的独立接地端,LM311的速度也比LM393快得多。  详情 回复 发表于 2023-6-26 08:54
 
 
 

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-26 08:24 看了一下手册,发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好

【发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好】

不仅是具有输出级的独立接地端,LM311的速度也比LM393快得多。

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这个芯片好是好,但是尴尬的一点发现是单路的,有没有双路的LM311  详情 回复 发表于 2023-6-26 13:22
 
 
 

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maychang 发表于 2023-6-26 08:54 【发现你推荐的这个芯片非常不错,比现在选型的LM393要好】 不仅是具有输出级的独立接地端,LM311的速 ...

这个芯片好是好,但是尴尬的一点发现是单路的,有没有双路的LM311

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【尴尬的一点发现是单路的,有没有双路的LM311】 好像是没有。至少我没见过。  详情 回复 发表于 2023-6-26 13:44
 
 
 

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S3S4S5S6 发表于 2023-6-26 13:22 这个芯片好是好,但是尴尬的一点发现是单路的,有没有双路的LM311

【尴尬的一点发现是单路的,有没有双路的LM311】

好像是没有。至少我没见过。

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