氮化镓场效应管 LMG3422R030RQZR/LMG3425R030RQZR 栅极驱动器

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氮化镓场效应管 LMG3422R030RQZR/LMG3425R030RQZR 栅极驱动器 [复制链接]

氮化镓集成电路 LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ 氮化镓场效应管，带集成驱动器 隔离栅驱动器

描述
LMG3422R030RQZR集成了驱动器和保护功能的GaN FET使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。

LMG3422R030RQZR集成了一个硅驱动器，使开关速度高达150V/ns。与分立的硅栅极驱动器相比，集成的精密栅极偏置导致了更高的开关SOA。这种集成与低电感封装相结合，在硬开关电源拓扑结构中提供了干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制20 V/ns至150 V/ns的回转率，这可用于主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式，通过实现自适应死区时间控制来减少第三象限损耗。

特点
符合JEDEC JEP180的硬开关拓扑结构要求
带有集成栅极驱动器的600-V硅基氮化镓场效应晶体管
集成高精度栅极偏置电压
200-V/ns CMTI
2.2兆赫的开关频率
30-V/ns至150-V/ns的回转率，用于优化开关性能和降低EMI
在7.5-V至18-V电源下工作
逐周期过流和潜伏短路保护，响应时间<100-ns
在硬开关时可承受720-V的浪涌
内部过热的自我保护和UVLO监测
数字温度PWM输出
理想的二极管模式减少了LMG3425R030的第三象限损耗

应用
高密度工业电源
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商业网络和服务器PSU

 

栅极驱动器 LMG3425R030RQZR 具有集成驱动器和理想二极管模式的 GaN FET VQFN54

描述
LMG342xR030 集成了驱动器和保护功能的 GaN FET 使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，使开关速度高达 150 V/ns。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑结构中实现干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制20 V/ns至150 V/ns的回转率，这可用于主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式，通过实现自适应死区时间控制来减少第三象限损耗。

应用
高密度工业电源
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商业网络和服务器PSU
商用电信整流器

特点
符合JEDEC JEP180的硬开关拓扑结构-600-V硅基氮化镓场效应晶体管，带有集成栅极驱动器-集成高精度栅极偏置电压-200-V/ns CMTI-2.2-MHz开关频率-30-V/ns至150-V/ns回转率，用于优化开关性能和缓解EMI-可在7. 5-V至18-V电源-稳健保护-逐周期过流和潜伏短路保护，响应时间<100-ns-硬开关时可承受720-V浪涌-内部过热的自我保护和UVLO监控-先进的电源管理-数字温度PWM输出-理想的二极管模式减少LMG3425R030的第三象限损耗
经过JEDEC JEP180认证，适用于硬开关拓扑结构
带有集成栅极驱动器的600-V硅基氮化镓场效应晶体管
集成的高精度栅极偏置电压
200-V/ns CMTI
2.2兆赫的开关频率
30-V/ns至150-V/ns的回转率，用于优化开关性能和降低EMI
在7.5-V至18-V电源下工作
强有力的保护
逐个周期的过电流和潜伏的短路保护，响应时间<100-ns
在硬开关时可承受720-V的电涌
内部过热的自我保护和UVLO监测
先进的电源管理
数字温度PWM输出
理想的二极管模式减少了LMG3425R030的第三象限损耗

 

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