ASEMI单向可控硅BT151参数，BT151封装，BT151体积

强元芯

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单向可控硅BT151参数：

型号：BT151

存储接点温度范围Tstg：-40~150℃

工作接点温度范围Tj：-40~125℃

断态重复峰值电压VDRM：650V

重复峰值反向电压VRRM：650V

RMS导通电流IT(RMS)：12A

非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A

峰值栅极电流IGM：2A

平均栅极功耗PG(AV)：0.5W

峰值栅极功率PGM：5W

IGT：4mA

VGT：0.75V

VTM：1.75V

BT151封装体积：

封装：TO-252

总长度：10.4mm

本体长度：6.3mm

宽度：6.8mm

高度：2.4mm

脚间距：4.77mm

BT151说明：

BT151系列可控硅整流器具有很高的承受大电流冲击负载的能力，提供了高dv/dt速率和较强的抗电磁干扰能力。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、T型工具等。