ASEMI代理韦达可控硅2P4M参数，2P4M图片，2P4M大小

强元芯

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韦达可控硅2P4M参数：

型号：2P4M

断态重复峰值电压VDRM：600V

重复峰值反向电压VRRM：600V

RMS导通电流IT(RMS)：2A

非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A

平均栅极功耗PG(AV)：0.1W

峰值栅极功率PGM：0.5W

IGT：50μA

VGT：0.6V

存储接点温度范围Tstg：-40~150℃

工作接点温度范围Tj：-40~110℃

2P4M封装规格：

封装：TO-252

总长度：10.4mm

本体长度：6.3mm

宽度：6.8mm

高度：2.4mm

脚间距：4.77mm

2P4M说明：

2P4M系列提供高dv/dt速率，对电磁接口具有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发式、点火器等