38|0

337

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

LMG3522R030RQSR全半桥驱动器/TPS92667QPHPRQ1 LED矩阵管理器/UCC21755QDWRQ1驱动器 [复制链接]

星际金华,明佳达 供求 LMG3522R030RQSR全半桥驱动器/TPS92667QPHPRQ1 LED矩阵管理器/UCC21755QDWRQ1驱动器

 

LMG3522R030RQSR:低边全半桥驱动器IC

 

产品说明:
LMG3522R030RQSR集成了驱动器和保护功能的氮化镓场效应晶体管针对的是开关模式电源转换器,使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。

 

特点:
集成栅极驱动器的650V硅基氮化镓场效应晶体管
集成了高精度的栅极偏置电压
200V/ns的场效应管保持
2MHz的开关频率
20V/ns至150V/ns的压摆率,用于优化开关性能和缓解EMI
在7.5V至18V电源下工作
强有力的保护
逐周期过流和潜伏短路保护,响应时间<100ns
在硬开关时可承受720V的电涌
内部过热的自我保护和UVLO监测
先进的电源管理
数字温度PWM输出
 
应用:
开关模式电源转换器
商用网络和服务器PSU
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业电机驱动
不间断电源

 

TPS92667QPHPRQ1:低噪音LED矩阵管理器芯片

 

产品介绍:
TPS92667QPHPRQ1是具有高级诊断功能的汽车低噪声16通道LED矩阵管理器,封装为48-HTQFP(7x7),表面贴装。

 

特点:
提供文件以帮助功能安全系统设计
UART串行通信 - 兼容CAN收发器
16个集成旁路开关 - LED开启检测和保护

 

UCC21755QDWRQ1:电隔离单通道门驱动器

 

产品说明:
UCC21755QDWRQ1是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121-V的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21755QDWRQ1具有高达±10-A的峰值源电流和汇流。

 

特点:
SiC MOSFET和IGBT高达2121 Vpk
33-V最大输出驱动电压(VDD-VEE)
±10-A的驱动强度和分割输出
150-V/ns最小CMTI
200-ns响应时间的快速DESAT保护,5-V阈值
4-A内部有源米勒钳制
故障发生时,400-mA的软关断
带有PWM输出的隔离式模拟传感器,用于
用NTC、PTC或热二极管进行温度感应
高电压直流链路或相位电压
12-V VDD UVLO,RDY上的电源良好
输入/输出具有过冲或欠冲瞬态电压抗扰度,最高可达5 V
130-ns(最大)传播延迟和30-ns(最大)脉冲/部分偏移
SOIC-16 DW封装,爬电和间隙距离>8mm
工作结温为-40°C至150°C

 

应用:
电动汽车的牵引逆变器
车载充电器和充电桩
用于HEV/EVs的DC/DC转换器

此帖出自信息发布论坛

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

相关帖子
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/9 下一条
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表