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一粒金砂(中级)

ASEMI高压MOS管10N65参数,10N65规格,10N65封装 [复制链接]

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ASEMI高压MOS管10N65参数:

型号:10N65

漏极-源极电压(VDS):650V

栅源电压(VGS):30V

漏极电流(ID):10A

功耗(PD):65W

储存温度(Tstg):-55 to 150℃

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.9Ω

二极管正向电压(VSD):1.4V

输入电容(Ciss):1500pF

二极管反向恢复时间(trr):320nS

10N65.jpg

10N65封装规格:

封装:TO-220

总长度:28.57mm

本体长度:15.87mm

宽度:10.66mm

高度:5.0mm

脚间距:2.54mm

1.jpg

10N65特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷:Qg=35nC(典型值)。

BVDSS=650伏,ID=10A

R DS(ON):0.9Ω(最大值)@V G=10V

100%雪崩测试

2.jpg

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