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一粒金砂(中级)

RS瑞森半导体在电动工具、锂电保护板上的应用 [复制链接]

RS40N130G是一款低压MOS-SGT工艺产品,SGT技术独特的器件结构和芯片设计提升了产品的耐用度,减少芯片面积,实现了屏蔽栅极与漂移区的作用 ,同时也减小了米勒电容以及栅电荷,即使器件的开关速度加快也能降低减低其损耗,被广泛应用于电动工具、逆变器、锂电保护板等产品。

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一、SGT MOSFET优势介绍

MOSFET分类:

Trench (沟槽型)MOSFET:主要用于低压领域;

SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET:主要用于中压和低压领域;

平面型MOSFET、COOL(超结)MOSFET:主要在高压领域应用。

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图1:应用于同步整流SGT MOS

二、SGT技术优势

提升功率密度:

SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍,在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极或耦合电极。屏蔽电极与源电极相连,既实现了屏蔽栅极与漂移区的作用,又减小了米勒电容以及栅电荷,使器件的开关速度得以加快,降低损耗。与此同时又实现了电荷耦合效应,减小了漂移区临界电场强度,器件的导通电阻得以减小,降低导通损耗,所以与普通沟槽式MOSFET相比,SGT MOSFET的内阻要低2倍以上。

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图2:Trench MOS和SGT MOS栅电荷对比

极低的开关损耗:

SGT工艺相对传统Trench结构,具有低Qg 的特点,它的技术革新改变了MOSFET内部电场的形态,将传统的三角形电场变更为梯形电场,可以进一步减小EPI层的厚度,降低导通电阻Rds(on),有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。

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图3:Trench MOS和SGT MOS器件结构

更好的EMI优势和抗雪崩EAS能力

由于SGT MOSFET具有较深的沟槽深度,可以利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量,所以SGT在雪崩时性能更强,更能承受雪崩击穿和浪涌电流。同时SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡,具有更好的EMI特性。

RS40N130G特点与应用

漏源击穿电压40V,漏极电流最大为130A;开启延迟典型值为18.8nS,关断延迟时间典型值为136.8nS,上升时间70.1nS,下降时间92.3nS,反向传输电容55pF,反向恢复时间56nS,正向电压的最大值1.3V。Rds(on)典型值为1.45mΩ,推荐用于锂电池保护板、同步整流、电动工具等。

瑞森半导体作为一家功率器件整体方案提供商,在中压MOS-SGT系列产品上以先进的生产工艺,优越的性能,良好的口碑,受到众多品牌的信任与支持。

附:瑞森半导体部分低压MOSFET-SGT产品选型表

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SGT MOSFET?

最关键的优点是什么

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纯净的硅(初级)

似乎网站上要填邮箱才能看规格书

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希望做一些大家觉得好用的东西!


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一粒金砂(中级)

RS瑞森半导体在电动工具、锂电保护板上的应用,很详细,感谢分享

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