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一粒金砂(初级)

FF300R08W2P2B11ABOMA1_FF300R08W2P2B11A,FS03MR12A6MA1BBPSA1_FS03MR12A6MA1B [复制链接]

FF300R08W2P2B11ABOMA1_FF300R08W2P2B11A,FS03MR12A6MA1BBPSA1_FS03MR12A6MA1B(回收,供应)

 

型号:FF300R08W2P2B11ABOMA1_FF300R08W2P2B11A

类型:半桥IGBT模块

阻断电压 750V
Ic 标称 300A
Tvj op = 150°C
低VCEsat
低开关损耗
低电感设计
低 Qg 和 Crss
4.2kV DC 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
PressFIT 接触技术
集成 NTC 温度传感器
灵活性(逆变器设计和电机集成)
易于系统组装(用于无焊安装的 PressFIT)
简单紧凑的设计(集成隔离,3 个半桥,比 HybridPACK™ 1 小 30%)
高可靠性(高短路耐用性、阻断电压、功率循环能力、爬电距离和间隙距离)

 

型号:FS03MR12A6MA1BBPSA1_FS03MR12A6MA1B

类型:碳化硅 (SiC) MOSFET模块

FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.7 毫欧 @ 400A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):42.5nF @ 600V
功率 - 最大值:20mW
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-HYBRIDD-2

 

深圳市明佳达电子,星际金华公司(供应,回收)模块FF300R08W2P2B11ABOMA1,FS03MR12A6MA1BBPSA1。

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