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一粒金砂(初级)

IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1,IMBF170R1K0M1_IMBF170R1K0M1XTMA1 [复制链接]

IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1,IMBF170R1K0M1_IMBF170R1K0M1XTMA1(供应,回收)

 

型号:IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1
封装:TO247-3

类型:碳化硅MOSFET单管
FET 类型:N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):107 mΩ
功率耗散(最大值):75 W
工作温度:-55 °C  ~ 150 °C

 

IMBF170R1K0M1_IMBF170R1K0M1XTMA1

类型:沟槽型碳化硅MOSFET单管

FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A(Tc)
驱动电压(Rds On) 12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时 Vgs(th) 5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 5 nC @ 12 V
Vgs +20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 275 pF @ 1000 V
功率耗散 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-13
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

 

深圳市明佳达电子,星际金华公司(供应及回收)IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1,IMBF170R1K0M1_IMBF170R1K0M1XTMA1。

有兴趣的朋友,欢迎随时联络我们! QQ:1668527835

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