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简述第三代半导体 [复制链接]

第三代半导体、宽能隙是什么? 讲到第三代半导体,首先简单介绍一下第一、二代半导体。在半导体材料领域中,第一代半导体是「硅」(Si),第二代半导体是「砷化镓」(GaAs),第三代半导体(又称「宽能隙半导体」,WBG)则是「碳化硅」(SiC)和「氮化镓」(GaN)。 宽能隙半导体中的「能隙」(Energy gap),如果用最白话的方式说明,代表着「一个能量的差距」,意即让一个半导体「从绝缘到导电所需的最低能量」。 第一、二代半导体的硅与砷化镓属于低能隙材料,数值分别为 1.12 eV 和 1.43 eV,第三代(宽能隙)半导体的能隙,SiC 和 GaN 分别达到 3.2eV、3.4eV,因此当遇到高温、高压、高电流时,跟一、二代比起来,第三代半导体不会轻易从绝缘变成导电,特性更稳定,能源转换也更好。 一般人常有的第三代半导体迷思 随着 5G、电动车时代来临,科技产品对于高频、高速运算、高速充电的需求上升,硅与砷化镓的温度、频率、功率已达极限,难以提升电量和速度;一旦操作温度超过 100 度时,前两代产品更容易故障,因此无法应用在更严苛的环境;再加上全球开始重视碳排放问题,因此高能效、低能耗的第三代半导体成为时代下的新宠儿。

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一粒金砂(初级)

有没有更多这方面详细的资料,楼主能分享下不?


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