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一粒金砂(中级)

MOS管的源极和漏极加个电容起什么作用? [复制链接]

在很多地方,看到MOS管的源极和漏极加个电容,这个电容起什么作用?

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此帖出自电源技术论坛

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没看见楼主贴图中DS间接有电容,G是栅极。

 

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通常,如楼主帖图中MOS管栅漏间接的电容因其两端的电压不能突变,这会导致MOS管被驱动时的导通过程变慢。这种接法的用途有二:一是降低MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流,二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。

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具体工作过程:

假设R212下端电平当前为高,显然MOS管此刻处于截止态。此时,C183两端的电压左高右低。当R212下端电平变低时,C183两端的电压不能突变,需经由R212放电,故U13的栅极电位只能逐渐降低,U13的导通过程因此变慢。若U13右侧负载中存在大容量容性环节,U13导通变慢就能降低U13导通瞬间的浪涌电流。

类似的,在楼主电路处于静态即U13处于截止或导通的稳态时,此时若发生空间电磁干扰在U13G极回路的耦合,如果没有C183,因MOS管栅极电容容量远远小于C183,那么就可能改变G极电位,进而影响MOS管的当前状态,尤其是G极回路与电路中的其它节点均处于较高的阻抗下时。

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如果负载中有较大容性环节,此时需强调浪涌抑制,C183的取值往往较大,且需要与R212的阻值构成合理的RC时间常数,以期合理的浪涌抑制参数。如果仅考虑对电磁干扰的抑制,C183的取值就比较低。是否需要C183以及其具体的取值,需要根据电路特性及PCB的设计、工作环境等综合考虑。

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纯净的硅(中级)

是软起动功能,确实可以减少浪涌。

个人签名چوآن شـين

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一粒金砂(初级)

厉害了,第一次见


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