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一粒金砂(初级)

RU207C SOT23-3(锐骏)20V/6A N-MOSFET 场效应管 现货 原厂代理 [复制链接]

RU207C.png

概述:

锐骏N沟道增强型功率MOSFET——RU207C,采用高密度单元设计,漏源电压最大额定值为20V,连续漏极电流最大额定值为6A(TA=25℃),具有低导通电阻特性,可靠、坚固,可用于电源管理应用。

 

产品特点:

20V/6A

RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=4.5V

RDS(ON)=15mΩ(典型值)@VGS=2.5V

低导通电阻

高密度单元设计

可靠、坚固

无铅、绿色环保器件,满足RoHS标准

使用SOT23-3封装

 

应用:

电源管理

 

更多型号:

RU207C          S0T23-3L           21+

RU30J30M        QFN5*6       21+

RU20P7C          S0T23          21+

RU30D20M3        DFN33*33        21+

RU1HE12L           T0-252          21+

RUH4040M2          PDFN3333         21+

RU3030M2             PDFN3333          21+

RU1H35R             T0-220          21+

RU30L30M3         DFN33*33         21+

RU30L15H            SOP8        21+

RI40120M            QFN5*6           21+

RU3040M3           DFN33*33            21+

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深圳市芯美力科技有限公司 锐骏代理

可提共样品支持、技术支持,如有需要,欢迎联系咨询

杨生 13250262776 【同微】

QQ 3400632246

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