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一粒金砂(初级)

IMW65R107M1HXKSA1(20A)IMZA120R040M1H(55A)碳化硅MOSFET [复制链接]

概述
英飞凌CoolSiC MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。英飞凌SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应,从而实现更快的开关速度和更高的效率。

参数规格

1、型号:IMZA120R040M1HXKSA1 (IMZA120R040M1H)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):54.4 毫欧 @ 19.3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.2V @ 8.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):39 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1620 nF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):227W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-4-8
封装/外壳:TO-247-4

2、型号:IMW65R107M1H (IMW65R107M1HXKSA1)
FET 类型:N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
Vgs(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):75 W
工作温度:-55 °C  ~ 150 °C
封装:TO247-3 
基本产品编号:IMW65R107

明佳达电子、星际金华(回收和供应)IMW65R107M1HXKSA1(20A)IMZA120R040M1H(55A)碳化硅MOSFET,如您有多余的库存需要处理,欢迎把库存清单发送到:chen13410018555@163.com 或来电洽谈。

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