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一粒金砂(初级)

(APM永源微) AP3400CI 30V N沟道增强型MOSFET [复制链接]

描述
●AP3400CI采用先进的沟槽技术,可提供出色的R-D(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

■一般特征
●V-DS=30V,I-D=4.2A
●R-DS(ON)<42mΩ@V-GS=10V

 

应用:

电池保护、负载开关、不间断电源

 

 

 

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………………………………………………………………

永源微一级代理、为客户提供相关的技术咨询与服务

如需更多系列型号,欢迎联系咨询。

 

吴先生:19928734273【微信同步】

QQ:3557033601

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