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一粒金砂(初级)

(APM永源微)AP8G10NF、100V N+P沟道增强型MOSFET [复制链接]

描述
AP8G10NF采用先进的沟槽技术,提供出色的R-D(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

■一般特征
●V-DS=100V,I-D=8A
●R-DS(ON)<75mΩ@V-GS=10V
●V-DS=-100V,I-D=-6.5A
●R-DS(ON)<210mΩ@V-GS=10V

 

………………………………………………………………

 

 

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