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一粒金砂(中级)

ASEMI超快恢复二极管ES1J参数,ES1J封装,ES1J规格 [复制链接]

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ASEMI超快恢复二极管ES1J参数:

型号:ES1J

峰值重复反向电压(VRRM):600V

RMS反向电压(VRMS):420V

平均整流正向电流(IF):1A

非重复峰值浪涌电流(IFSM):30A

最大瞬时正向电压(VF):1.7V

最大瞬时反向电流(IR):5uA

最大反向恢复时间(trr):35NS

典型结电容(CJ):10pF

最大热阻,结到外壳(RθJC):35℃/W

工作结温和存储温度(TJ, Tstg):-65~ +150℃

ES1J.jpg

ES1J封装规格:

封装:SMA

总长度:5.28mm

本体长度:4.6mm

引脚长度:0.34mm

宽度:2.9mm

高度:2.62mm

脚宽度:1.6mm

1.jpg

ES1J特征:

玻璃钝化模具结构

非常适合自动装配

低正向压降,高效率

浪涌过载额定值达到30A峰值

低功耗

超快恢复时间

2.jpg

ES1J机械数据

外壳:SMA/DO-214AC,模压塑料

端子:镀焊,可焊符合MIL-STD-750

极性:阴极带或阴极槽口

标记:型号

重量:0.064克(约)

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