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一粒金砂(中级)

原理图——这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗? [复制链接]

image.png  在网上看到这个电路图,说是有问题的电路,Q1容易烧。

评论区有以下看法:

1.R7电阻阻值过大,导致Q2开启过慢,导致Q1不完全导通时间过长进而烧毁。

2.Q1栅极和Q2漏极之间没有限流电阻,导致导通电流过大,进而烧毁Q1。

 

下面是我的问题:

1.Q2这个管子什么时候用MOS,什么时候用三极管,这个有什么讲究吗?

      (个人看法:像图中驱动信号是低压的情况,是不是用三极管会更好)

2.R7阻值10k会不会太大,这个栅极电阻怎么取值合适?

     (个人看法:10k感觉还是大了点,会影响Nmos导通速度吧?)

3.R8的左边接R7的左侧和右侧会对电路功能有影响吗?

    (个人看法:接右侧感觉更合理也更常见,接左侧好像也没问题)

4.Q1栅极和Q2漏极之间如果加限流电阻,这个电阻多大合适?

    (个人看法:P=U*U/R,电阻小了功耗大,封装也要考虑选大的)

    (电阻大了要注意和R4形成分压,要保证GS电压满足Q1饱和导通)

 

以上是我对这个电路的问题和看法,不知道这些思路是否合理,或是考虑不全面,欢迎评论区指正和分享一些经验!

 

 

 

此帖出自模拟电子论坛

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『这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗?』

Q2使用双极型三极管或场效应三极管都可以。


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.R7阻值10k太大,会造成驱动MOS管开和关力不从心,驱动电压上升缓慢,因为MOS管内有米勒效应

几十欧都行了,还要看具体MOS管或电路情况了

 

 


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关于评论区的看法可未必。

首先,Q2开启慢未必就一定烧Q1,必须考察开启暂态的耗散功率积,然后与管子本身的承受力和散热条件进行比较方可获知,不可一概而论。有些场合下,为了抑制上电浪涌,反而要刻意令Q1的导通变慢。

其次,栅极没有串电阻也未必会烧管。就楼主电路而言,Q2的开启较慢,并不会导致Q1栅容放电的浪涌。

个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang

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关于楼主的问题:

1、你的看法正确。如果驱动电压较低,需要选择低开启电压的MOS管,而低到一定程度,显然双极型晶体管可能更适用。不过,双极型晶体管需要较大的驱动电流,前级如果不能提供但能保证某型号MOS管的开启电压,显然这时还是MOS管更合适。

2、栅极电阻一般选数欧姆到数十欧姆量级,不过还得看应用需求和设计目的。

3、就楼主电路而言,R8应该接在R7之前即图中的左侧,否则与R7构成分压,MOS管的开启门限电压就悬了。如果不考虑门限电压问题即驱动电压分压后也可满足Q2的开启门限电压要求,且R7、R8临近于MOS管布置,两种接法则等效。毕竟MOS管的输入阻抗很高,R7、R8的阻值与之相比对地阻抗可以认为没有差别。但如果R7与Q2间距较远,中间存在长线连接,那么R8就应该布置在Q2旁,显然这时就只能接在图中的右侧了。

4、关于Q1的栅极电阻,如果Q2为快速导通设计,那么选择如前2所述。因该电阻的阻值远小于R4偏置电阻的阻值,所以分压问题可以忽略,而且还可以接在内侧,分压问题干脆不存在了。至于功耗问题,楼主电路一般多用于电源开关、负载开关之类,此为“一锤子买卖”,无所谓的。如果工作频率较高,那必须结合后级电路整体分析,性质可能就变了。

点评

老师的思路太清晰了,有种醍醐灌顶的感觉!谢谢老师!  详情 回复 发表于 2022-6-17 14:58

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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang

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纯净的硅(中级)

MOS管工作电流大,内阻小,用在大电流的开关控制中。三极管用在小电流 的场合.


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纯净的硅(中级)

MOS管是电压控制器件,偏置电阻可以用更大些,10K的电阻用的太小了.


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一粒金砂(中级)

chunyang 发表于 2022-6-17 14:37 关于楼主的问题: 1、你的看法正确。如果驱动电压较低,需要选择低开启电压的MOS管,而低到一定程度,显 ...

老师的思路太清晰了,有种醍醐灌顶的感觉!谢谢老师!


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