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纯净的硅(初级)

到底该怎么区分旁路电容跟去耦电容的区别呢? [复制链接]

现在完全搞不清楚去耦电容跟旁路电容的区别, 去耦半径又是什么呢? 为啥去耦电容要挨着IC很近的位置放呢?


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管理员

这篇介绍的我觉得挺清晰的,转过来你看看

 

旁路(bypass)电容:是把输入信号中的高频成分作为滤除对象;

去耦(decoupling)电容:也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。

去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。

高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大。

去耦电容主要有2个作用:(1)去除高频信号干扰;(2)蓄能作用;(而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位)

高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,阻抗Z=i*wL+R,线路的电感影响也会非常大,会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一(在vcc引脚上通常并联一个去耦电容,这样交流分量就从这个电容接地。)

所谓的耦合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去耦电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
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原文链接:https://blog.csdn.net/Zhouabby/article/details/121265891

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