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五彩晶圆(高级)

MOSFET直流开关的浪涌保护 [复制链接]

 

借下面贴子中的图用一下

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-1200844-1-1.html

134112m6n7ei6i44lheaan_png_thumb.jpg

C1的作用是防浪涌,避免开关两侧有较大容量电容时,开通速度过快损坏MOSFET。

 

好了,开始动脑筋:C1的容量如何确定?

此帖出自电源技术论坛

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五彩晶圆(高级)

又发不了贴,没兴趣了


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五彩晶圆(高级)

设负载侧有1000uF大水塘,启动过程忽略负载电流,电容的充电电量Q=12*1000=0.012(C)


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五彩晶圆(高级)

20220422181821.png

 

这是RQ3E120AT的SOA,一看就发愁了!


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五彩晶圆(高级)

为保险起见,ID取15A,启动过程0.8mS


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五彩晶圆(高级)

20220424192129.png

 

启动过程中,密勒平台维持在3V附近

 

 


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五彩晶圆(高级)

20220424192632.png

然而,Cgd太小了,要靠密勒平台的饱和区限流,达到0.8mS的时间需要的注入电流太小,驱动电阻太大,怎么办?

看起来在D-G或S-G之间并电容均可,但是D-G并电容会引起上电误导通,只能在S-G并电容


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五彩晶圆(高级)

从6楼的图表上评估,接受启动过程为Vgs在2.7-3.2V范围,驱动最大电平约11V,得

RC=0.0008/LN((11-2.7)/(11-3.2))


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一粒金砂(高级)

3.2V是根据15A和跨导预估出来的吗?

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对的,选12-15A主要是照顾VTH误差范围和温度特性  详情 回复 发表于 2022-4-25 08:05

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五彩晶圆(高级)

不亦心 发表于 2022-4-24 23:45 3.2V是根据15A和跨导预估出来的吗?

对的,选12-15A主要是照顾VTH误差范围和温度特性

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明白了,我回帖的时候,6楼的帖子还没放出来,现在7楼的内容在6楼。。。  详情 回复 发表于 2022-4-25 22:14

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五彩晶圆(高级)

 简单的电路,慢开意味着慢断,当负载发生短路时,如果在保险比熔断之前MOSFET本身杠不过来,MOS便舍身成仁,因此,直流开关的驱动在设计上应注意 ”慢开快关“


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一粒金砂(高级)

PowerAnts 发表于 2022-4-25 08:05 对的,选12-15A主要是照顾VTH误差范围和温度特性

明白了,我回帖的时候,6楼的帖子还没放出来,现在7楼的内容在6楼。。。


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有时候内容会进审核里面,管理员巡逻看到了就会放出来,内容没有丢。着急的话可以直接微信联系我给你审核哈    谢谢蚂蚁大侠的分享~~~

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