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SiC 市场高速增长 [复制链接]

据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍,受汽车应用的强劲推动,尤其是在 EV 主逆变器方面的需求,SiC 市场将迎来高速增长。

报告指出,继特斯拉采用 SiC 后,2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用SiC。此外,特斯拉创纪录的出货量帮助 SiC 器件在 2021 年达到 10 亿美元的规模。他们指出,为了满足长续航的需求,800V EV 是实现快速直流充电的解决方案,这也就是 1200V SiC 器件发挥重要作用的地方。

Yole 在报告中表示,除汽车外,工业和能源应用市场将成为 SiC 营收增长超过 20% 的市场。为此 Yole 预测,预计到 2027 年,SiC 器件市场将从 2021 年的 10 亿美元业务增长到 60 亿美元以上。

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作为一家在宽禁带方面有多年积累经验的企业,Qorvo 去年通过收购 UnitedSiC,加强了公司在这方面的投入。

UnitedSiC 前总裁兼首席执行官、Qorvo 现任电源设备解决方案部门总经理 Chris Dries 之前在接受 EETIMES的采访时强调,Dries 表示,Qorvo 对 Active-Semi 的收购触发了其对功率电子设备领域的兴趣。如今,Qorvo 的目标就是,利用 UnitedSiC 的化合物半导体制造技术来实现伟大的多元化战略。

“可编程电源管理业务发展迅速,Qrovo 希望在电力市场占有更大的份额。此次收购有助于加快其进军该市场领域的步伐,进而创建将我们可编程性、灵活性和模拟控制 IP 与 UnitedSiC 产品组合在一起的解决方案,以便为客户打造端到端解决方案。”Qorvo 可编程电源管理业务部门高级总监 David Briggs 在同一个采访中补充说。

据采访所说,UnitedSiC 已开发出一种共源共栅布局的 SiC,适用于需要常闭器件的功率电子设备应用。在共源共栅配置中,功率 MOSFET 置于 JFET 顶部,而且两者被封装在一起,以实现极低热阻。

UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二极管设备等产品。JFET 结构是最基本的 SiC 开关。因为它没有栅极氧化物,并且是单极传导装置,所以可以避免一些与 MOSFET 相关的缺陷。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V, RDS (on) 为 5.9 毫欧姆,可将各行各业的效率提升至新高度。

改进开关性能和 RDS(on) 可在电动汽车领域实现更强大的新应用,如牵引驱动、车载和车外充电器以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和 AC/DC 或 DC/DC 功率转换等所有阶段的功率转换。

Dries 表示:“我们刚刚发布了第四代器件,其芯片尺寸缩小了 30-50%,从而进一步降低了解决方案成本。当您考虑碳化硅逆变器所带来的效率优势时,就更应该把握住这一机会。我认为,在这个十年结束之时,碳化硅可能会开始占主导地位,尤其是在更大功率的汽车领域。”

Briggs 补充道:“IGBT 仍将继续存在,它们不会轻易地被 SiC 取代,但由于其效率、性能和可靠性,碳化硅迟早会占据大部分市场份额并最终取代 IGBT。”

SiC FET 通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。据 UnitedSiC 的研究,所述众多应用的一个特点就是,栅极驱动器特性与其他器件(如 MOSFET 和 IGBT)兼容,这样就可以轻松地将其集成到现有设计中。

在 Qorvo 产品组合中整合 UnitedSiC 解决方案将涵盖新兴市场的许多应用,主要与能源相关。UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会,以加快 SiC 的采用,从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。

此帖出自RF/无线论坛

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