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PMOS作为防反接电路的一些问题点 [复制链接]

本帖最后由 小太阳yy 于 2022-4-13 16:52 编辑

图片.png   该电路作为PMOS防反接电路,为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥?大小该怎么选择? S点电压高于G点电压时MOS将会导通,那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电压呢?下面有是三个电压值,以哪个为基准?

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『该电路作为PMOS防反接电路,为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥?』

R1使得P沟MOS管门极为地电位。没有R1(开路),MOS管门极悬空,电位不定。

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我的意思表示门极悬空,我的意思是将电阻换成导线  详情 回复 发表于 2022-4-13 17:38

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本帖最后由 maychang 于 2022-4-13 17:24 编辑

『S点电压高于G点电压时MOS将会导通,那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电压呢?下面有是三个电压值,以哪个为基准?』

 

比这三个电压(绝对值)都要大,应该大于MOS管饱和导通时的那个电压,但小于门极源极之间电压允许的最大值(通常为20V)。

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MOSFET没有完全饱和导通的说法,饱合区是线性放大区,属于压控电流源,“完全”导通是可变电阻区  详情 回复 发表于 2022-4-13 18:26
为啥要大于饱和导通时的电压呢?  详情 回复 发表于 2022-4-13 17:49

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maychang 发表于 2022-4-13 17:18 『该电路作为PMOS防反接电路,为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥?』 R1使得P沟MOS管门极为地电位。没有R ...

我的意思不是门极悬空,我的意思是将电阻换成导线

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换成导线理论上是可以的。但需注意:换成导线后右端电源电压直接作用于MOS管源极和门极之间,右端电源电压可能带有峰值较大的环境干扰,而MOS管门极是比较脆弱的,前面曾提到源极门极之间电压最大为20V,超过MOS管即  详情 回复 发表于 2022-4-13 17:53

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maychang 发表于 2022-4-13 17:21 『S点电压高于G点电压时MOS将会导通,那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电 ...

为啥要大于饱和导通时的电压呢?

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首帖上面红色框中是MOS管刚刚 “开始” 导通的门极源极之间电压,此时MOS管电阻很大,漏极电流仅85uA。拿1.7V除以85uA,这个电阻有多大? 下面红色框中门极4.5V时,MOS管基本上算是饱和导通。但再增加  详情 回复 发表于 2022-4-13 18:01
该电路中MOS管正常导通时我们总希望管子的压降越小越好,或者说管子的导通电阻越小越好。管压降小,消耗在管子上的功率就越小。而我们是把MOS管当做开关用,“开” 状态应该没有压降才是理想状态。  详情 回复 发表于 2022-4-13 17:57

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小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:38 maychang 发表于 2022-4-13 17:18 『该电路作为PMOS防反接电路,为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥?』 R1 ...

换成导线理论上是可以的。但需注意:换成导线后右端电源电压直接作用于MOS管源极和门极之间,右端电源电压可能带有峰值较大的环境干扰,而MOS管门极是比较脆弱的,前面曾提到源极门极之间电压最大为20V,超过MOS管即可能损坏。加入R1后,该电阻与MOS管门极源极之间电容构成RC低通滤波,电源上带有尖峰干扰,这个RC低通滤波有一定衰减尖峰的作用。所以,通常这里都加个电阻。


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小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:49 为啥要大于饱和导通时的电压呢?

该电路中MOS管正常导通时我们总希望管子的压降越小越好,或者说管子的导通电阻越小越好。管压降小,消耗在管子上的功率就越小。而我们是把MOS管当做开关用,“开” 状态应该没有压降才是理想状态。


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小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:49 为啥要大于饱和导通时的电压呢?

首帖上面红色框中是MOS管刚刚 “开始” 导通的门极源极之间电压,此时MOS管电阻很大,漏极电流仅85uA。拿1.7V除以85uA,这个电阻有多大?

下面红色框中门极4.5V时,MOS管基本上算是饱和导通。但再增加门极电压,电阻仍可减小一些。


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maychang 发表于 2022-4-13 17:21 『S点电压高于G点电压时MOS将会导通,那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电 ...

MOSFET没有完全饱和导通的说法,饱合区是线性放大区,属于压控电流源,“完全”导通是可变电阻区

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不错。这里是借用双极型三极管的叫法。正式的名称是可变电阻区。  详情 回复 发表于 2022-4-13 18:47

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PowerAnts 发表于 2022-4-13 18:26 MOSFET没有完全饱和导通的说法,饱合区是线性放大区,属于压控电流源,“完全”导通是可变电阻 ...

不错。这里是借用双极型三极管的叫法。正式的名称是可变电阻区。

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可变电阻区有点拗口,说成“导通”完全没问题  详情 回复 发表于 2022-4-13 19:19

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maychang 发表于 2022-4-13 18:47 不错。这里是借用双极型三极管的叫法。正式的名称是可变电阻区。

可变电阻区有点拗口,说成“导通”完全没问题


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