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纯净的硅(初级)

我们经常会用到不同封装的MOS,那我想问DPAK和D2PAK的封装的MOS有什么区别呢? [复制链接]

 

 

 

以下是我查到的一些资料,但在在实际的MOS应用中,我发现这两种封装的热阻值是相同的,那他们除了尺寸的区别,其他有啥区别呢?

我查了两种datasheet,发现尺寸小的反而电流值以及耐压值都要高,这是为何?理论上来说应该是尺寸越大,散热越好热阻越小,不是吗?

 

图片.png  

 


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封装形式并不决定载流和耐压参数,那是管芯决定的。封装与耗散功率有关,即决定了所谓的“热阻”。一般来说,封装之间最大的差别就在于此,但有些不同的封装其耗散功率/热阻却是相同的,这样的封装之所以存在,是自不同的前身演变而来所致。所以,要比较,必须基于同一厂家同一型号的比,这意味着相同管芯不同封装,这样的比较才有意义。而不同厂家同一型号的产品因管芯不同,参数很可能就会有不同,严格意义上应该以不同型号标识。在过去,型号本身是存在排他性的,但后来因法律的变化,数字型号的排他性不再成立,这就给很多厂家“蹭热度”打开了方便之门,于是才有所谓的同一型号却连基本参数都不同的现象。

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当MOS在放大区域工作时,热阻不是意味着该MOS所能承载的功率吗?为什么标称耗散功率有很大差距的 MOS,热阻值却相近呢?  详情 回复 发表于 2022-3-1 20:58
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang

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本帖最后由 maychang 于 2022-3-1 18:55 编辑

如果是同一厂家的产品,那么同一型号不同封装(必定后缀不同)的电气参数相同,仅散热能力不同。这一点在datasheet中必定有标注。

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MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?  详情 回复 发表于 2022-3-1 20:59

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『我查了两种datasheet,发现尺寸小的反而电流值以及耐压值都要高,这是为何?』

尺寸小,电流电压参数未必就小。电流电压参数是由管芯(包括生产工艺)决定的。同一封装可以有不同管芯或者生产工艺。


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chunyang 发表于 2022-3-1 16:48 封装形式并不决定载流和耐压参数,那是管芯决定的。封装与耗散功率有关,即决定了所谓的“热阻” ...

当MOS在放大区域工作时,热阻不是意味着该MOS所能承载的功率吗?为什么标称耗散功率有很大差距的 MOS,热阻值却相近呢?

点评

老师,我理解,我有的时候表述太清楚  详情 回复 发表于 2022-3-5 19:00
热阻不能直接等效于所能承载的功率,热阻跟封装相关,而耗散功率的极值由管芯和封装共同决定。  详情 回复 发表于 2022-3-2 17:24

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maychang 发表于 2022-3-1 18:50 如果是同一厂家的产品,那么同一型号不同封装(必定后缀不同)的电气参数相同,仅散热能力不同。这一点在data ...

MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?

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那可未必,注意功率计算公式中的变量并非仅有电流参数。  详情 回复 发表于 2022-3-2 17:25
『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』 那可不一定。 如果多看看各种型号功率MOS,你会发现:同样封装,耐压低的MOS管往往允许电流较大,耐压高的MOS管往往允许电流较小,而两种管子散热能力大致相同。  详情 回复 发表于 2022-3-1 21:15

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小太阳yy 发表于 2022-3-1 20:59 MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?

『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』

那可不一定。

如果多看看各种型号功率MOS,你会发现:同样封装,耐压低的MOS管往往允许电流较大,耐压高的MOS管往往允许电流较小,而两种管子散热能力大致相同。


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本帖最后由 小太阳yy 于 2022-3-1 21:32 编辑
maychang 发表于 2022-3-1 21:15 『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』 那可不一定。 如果多看看各种型号功率MOS,你会发现 ...

image.png  像以上这种电路,MOS管是工作在放大区域的,他所承载的功率就是输入电压减去 RS电压,以及负载的电压,然后乘以通过MOS的电流,然后通过热阻计算管子的功率,这个时候得出的功率为什么比管子的标称耗散功率小那么多呢?如果这个功率过大,TJ就会超出175的,那这样看来的话,那个标称功率Ptot还有什么用呢?因为TJ的高低完全取决于热阻了啊,跟这个最大耗散功率又有什么关系呢,而且我发现 标称耗散功率110W的MOS,跟标称4.7W的管子相比较,到PCB板子的热阻4.7W的MOS居然比110w的MOS还要小,那这个标称功率有何用,在这种情况下,我直接看热阻计算最大温升得了。跟这个耗散功率又啥子关系呢?跟ID又有什么关系呢?按照PCB热阻计算的电流,非常非常小,稍微大点,温升就会很高,导致TJ超出175

image.png   image.png  

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『因为TJ的高低完全取决于热阻了啊』 结温 Tj 可不是【完全取决于热阻】,结温还与管子耗散的功率以及环境温度有关。 设想一种极端情况:管子中没有电流,当然也就不耗散功率,此时结温必定等于环境温度,与热  详情 回复 发表于 2022-3-2 20:26
『他所承载的功率就是输入电压减去 RS电压,以及负载的电压,然后乘以通过MOS的电流,然后通过热阻计算管子的功率』   那有此事? 你的这句话里面,前半句说管子耗散的功率是管子两端的电压乘以通过MO  详情 回复 发表于 2022-3-2 20:21
你还是没有弄清楚热阻和耗散功率的关系。这么说吧,二者无关。热阻低不见得耗散功率就一定大,反之亦然,只是通常情况下高耗散功率的管子往往会采用热阻低的封装,但未必一定如此。  详情 回复 发表于 2022-3-2 17:29

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小太阳yy 发表于 2022-3-1 20:58 当MOS在放大区域工作时,热阻不是意味着该MOS所能承载的功率吗?为什么标称耗散功率有很大差距的 MOS,热 ...

热阻不能直接等效于所能承载的功率,热阻跟封装相关,而耗散功率的极值由管芯和封装共同决定。

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小太阳yy 发表于 2022-3-1 20:59 MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?

那可未必,注意功率计算公式中的变量并非仅有电流参数。

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小太阳yy 发表于 2022-3-1 21:27 maychang 发表于 2022-3-1 21:15 『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』 那可不一定。 如果多看看 ...

你还是没有弄清楚热阻和耗散功率的关系。这么说吧,二者无关。热阻低不见得耗散功率就一定大,反之亦然,只是通常情况下高耗散功率的管子往往会采用热阻低的封装,但未必一定如此。

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每一种封装有其特定的热阻和对应的最大耗散功率,但封装内安装的管芯种类却可以很多。比如在大封装里安装小功率管芯,这时最大耗散功率就不是由封装决定而是由管芯决定。类似的,在小封装里安装大功率管芯,因受封装限制,大功率管芯无法充分发挥,耗散功率极限被封装限制住了。明白了这些就该知道散热条件与最大耗散功率间的关系也是与前述类似的,关键在于理解各个参数的本质。

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是的是的,我的问题就在于此,大功率的管芯被封装限制了耗散功率,那还做大功率的管芯有什么意义呢?举例来说的话,比如100W的管芯,跟10w的管芯放在一样的封装里,他们相对于环境温度热阻也是一样的,TJ最高都是175  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:19
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楼主不妨考虑这样一种情况:

假设同一种管芯用了两种不同热阻的封装,但是在应用中,热阻低的那款没用散热器,热阻高的那款却用了很大的散热器能将热量全部导出,其它条件相同,那么哪款的实际耗散功率极限更大呢?

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是的,老师,是热阻高的用了散热器的那款实际的耗散功率极限更大  详情 回复 发表于 2022-3-5 19:03
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注意几个概念的区别与联系:管子的最大耗散功率参数,封装的最大耗散功率参数,封装热阻。

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是的,这几个概念目前清楚了  详情 回复 发表于 2022-3-5 19:01
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小太阳yy 发表于 2022-3-1 21:27 maychang 发表于 2022-3-1 21:15 『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』 那可不一定。 如果多看看 ...

『他所承载的功率就是输入电压减去 RS电压,以及负载的电压,然后乘以通过MOS的电流,然后通过热阻计算管子的功率』

 

那有此事?

你的这句话里面,前半句说管子耗散的功率是管子两端的电压乘以通过MOS的电流,后半句又说通过热阻计算管子的功率。自我矛盾。

前半句是正确的,后半句是谬论。

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后半句确实是说错了,通过热阻计算温升,口误了  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:07

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小太阳yy 发表于 2022-3-1 21:27 maychang 发表于 2022-3-1 21:15 『MOS的载流量越大,不就是耗散功率越大吗?』 那可不一定。 如果多看看 ...

『因为TJ的高低完全取决于热阻了啊』

结温 Tj 可不是【完全取决于热阻】,结温还与管子耗散的功率以及环境温度有关。

设想一种极端情况:管子中没有电流,当然也就不耗散功率,此时结温必定等于环境温度,与热阻无关。

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我的意思,大多的MOS都是最高TJ是175摄氏度,我明白跟环境温度有关,我想表达的是,比如两个最大耗散功率相差很大的MOS,他们的最高TJ却都是175摄氏度,他们相对于环境温度的热阻也相近,当然在散热相当理想的状态下  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:13

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maychang 发表于 2022-3-2 20:21 『他所承载的功率就是输入电压减去 RS电压,以及负载的电压,然后乘以通过MOS的电流,然后通过热阻计算管 ...

后半句确实是说错了,通过热阻计算温升,口误了


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maychang 发表于 2022-3-2 20:26 『因为TJ的高低完全取决于热阻了啊』 结温 Tj 可不是【完全取决于热阻】,结温还与管子耗散的功率以及 ...

我的意思,大多的MOS都是最高TJ是175摄氏度,我明白跟环境温度有关,我想表达的是,比如两个最大耗散功率相差很大的MOS,他们的最高TJ却都是175摄氏度,他们相对于环境温度的热阻也相近,当然在散热相当理想的状态下,比如TC一直在25摄氏度,那么他们肯定是耗散功率有区别,当他们都不存在散热器的条件下,因为他们的热阻相近,都贴在PCB上,那他们的温升是差不多的呀,那这个所谓的标称的理想状态下的最大耗散功率有什么意义呢?

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『比如两个最大耗散功率相差很大的MOS,他们的最高TJ却都是175摄氏度,他们相对于环境温度的热阻也相近,当然在散热相当理想的状态下,比如TC一直在25摄氏度,那么他们肯定是耗散功率有区别』 如果这两个最大耗散  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:46
『比如两个最大耗散功率相差很大的MOS,他们的最高TJ却都是175摄氏度,他们相对于环境温度的热阻也相近,当然在散热相当理想的状态下,比如TC一直在25摄氏度,那么他们肯定是耗散功率有区别』 你的问题恐怕就在这  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:41

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chunyang 发表于 2022-3-2 17:38 每一种封装有其特定的热阻和对应的最大耗散功率,但封装内安装的管芯种类却可以很多。比如在大封装里安装小 ...

是的是的,我的问题就在于此,大功率的管芯被封装限制了耗散功率,那还做大功率的管芯有什么意义呢?举例来说的话,比如100W的管芯,跟10w的管芯放在一样的封装里,他们相对于环境温度热阻也是一样的,TJ最高都是175,那我在不加散热器的情况下,这两种MOS有和区别呢?没有区别了呀,而且我们用到的MOS全是没有散热器的,大佬有没有应用散热器的示例来分享一下

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所以大功率的管芯要配合散热器工作才能全力发挥,否则跟同封装小功率的没有区别。而小功率的再加散热器,功率也上不去,管芯会直接烧了。  详情 回复 发表于 2022-3-3 13:18
『比如100W的管芯,跟10w的管芯放在一样的封装里,他们相对于环境温度热阻也是一样的,TJ最高都是175,那我在不加散热器的情况下,这两种MOS有和区别呢?没有区别了呀』 有区别。那个100W的管芯,用作开关电源,能  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:55
『那还做大功率的管芯有什么意义呢?』 大功率管芯电压电流容量都大,显然用作开关电源的话,就可以输出更大功率。但开关电源中的开关管虽然要承受高电压大功率,但平均耗散功率可能并不很大,所以可以使用较小的  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:53
『那还做大功率的管芯有什么意义呢?』 大管芯允许通过的电流更大,耐压高的同样电流容量的管芯面积也较大。  详情 回复 发表于 2022-3-2 21:50

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小太阳yy 发表于 2022-3-2 21:13 我的意思,大多的MOS都是最高TJ是175摄氏度,我明白跟环境温度有关,我想表达的是,比如两个最大耗散功率 ...

『比如两个最大耗散功率相差很大的MOS,他们的最高TJ却都是175摄氏度,他们相对于环境温度的热阻也相近,当然在散热相当理想的状态下,比如TC一直在25摄氏度,那么他们肯定是耗散功率有区别』

你的问题恐怕就在这里。“最大耗散功率” 和 “耗散功率” 可不是一回事。“最大耗散功率” 是由管子结构(包括管芯到外壳的热阻),“耗散功率” 是管子实际消耗的功率。


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