GD32L233C-START 开发板评测三: GD32L233C芯片低功耗性能测试(续)
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GD32L233C-START 开发板评测三:
GD32L233C芯片低功耗性能测试(续)
基于“低功耗测试一”的测试结果,为了确认芯片电流,所以决定测试一下芯片待机模式的电路,看看电流是否与手册描述中的一致,从而确定外部电路是否有影响。
图1: MCU手册上描述的待机电流
从手册上我们可以看到芯片在待机模式时,电流是0.4uA,于是修改程序为待机模式
图2: 待机模式代码
将深度睡眠模式代码改成待机模式代码后,编绎下载到单片机运行,(万用表200uA档)测试待机电流是0.3uA。
在进入待机模式后,按下按键唤醒芯片,会发现LED重新闪几次,然后重新进行待机模式,查数据手册中关于待机模式的描述文字,可见到说明:
图3:手册描述待机唤醒后的操作
证明待机模式测试正确。
经过上面的测试,发现板上的待机电流是符合芯片手册描述的,可见外部电路应该没其它地方影响休眠电流了,所以重新修改代码测试休眠电流,这次为了测试IO配置是否能减小电流,将所有的IO口设置为了开漏输出模式,并且将所有IO设置输出低电平。
图4:重新设置休眠模式时GPIO的模式
测试结果:休眠电流变成了0.4mA,比上一次的1.1mA又小了0.7mA左右。
图5:将GPIO设置为开漏输出模式后的深度休眠电流
图6:程序下载报错
不幸的是,经此折腾后,现在再也下载不了程序了,GDLINK一直提示错误,开发板再也不能下载仿真程序测试了。使用GD-Link Programmer也连接不上单片机。
图7:GD-Link Programmer打开后也连不上单片机
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