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一粒金砂(中级)

ASEMI快恢复二极管US1G参数,us1g封装,us1g资料 [复制链接]

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ASEMI快恢复二极管US1G参数

型号:US1G

最大重复峰值反向电压VRRM):400V

最大有效值电压VRMS):280V

最大直流阻断电压VDC):400V

最大平均正向整流电流I(AV)):1A

峰值正向浪涌电流IFSM ):30A

最大瞬时正向电压VF):1.3V

额定最大直流反向电流IR):5uA

典型的反向恢复时间trr):50nS

典型结电容CJ):20pF

典型热阻RθJA ):88/W

工作结温TJ):-55 to +150

储存温度范围TSTG):-55 to +150

US1G.jpg

US1G封装尺寸:

总长度:5.28mm

本体长度:4.6mm

引脚宽度:1.6mm

宽度:2.9mm

高度:2.62mm

 

US1G特征资料

塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0

内置应力消除装置,非常适合自动放置

玻璃钝化芯片结

快速切换以实现高效率

高温焊接260 / 10

2-1.png 2-2.png

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