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DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务 [复制链接]

DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。

射频前端是无线通信的必备器件,其负责IT设备之间的发射(Tx)和接收(Rx),并广泛应用于智能手机和物联网等通信领域。 一般来说,射频前端模块是以天线调谐器、开关、低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)等部件组成。

随着无线通信技术迈向5G,对高频率、高灵敏度的高质量通信的需求正在不断提升射频前端的重要性。因此,射频前端市场规模预计将从2019年的124亿美元快速增长至2025年的217亿美元。

在射频前端的众多部件中,DB HiTek目标产品是开关和LNA。开关负责在发射/接收信号时打开/关闭通道,而LNA是5G等高速通信的核心产品,通过放大频率而传输更准确的信号。

DB HiTek通过增加SOI和HRS晶圆,以阻止或最大限度地减少之前射频体硅工艺(RF bulk process)的泄漏电流,从而大幅提升性能。

尤其是130纳米技术的RF SOI工艺,DB HiTek拥有世界领先的性能,如开关关键质量因素(FOM)为84fs,击穿电压(BV)为4.4V。LNA可支持高达120GHz的截止频率(Ft),并有望在2022年上半年支持最高150Ghz以上。

基于110纳米技术的RF HRS(高电阻率衬底,>1Kohm)工艺具有出色的价格竞争力。开关FOM为164fs,BV为4.6V,LNA可支持截止频率为100GHz 。150GHz及以上的LNA产品正在开发中,将在2022年上半年内实现对这一频率的支持。

DB HiTek积极支持客户,使客户及时导入射频前端市场,DB HiTek每季度提供一次多项目晶圆(MPW)服务,可节省客户的研发费用。

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