AT32F437玩一玩(4)---以SPI传输为例探索内部flash性能

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AT32F437玩一玩(4)---以SPI传输为例探索内部flash性能 [复制链接]

 

 在雅特力宣传中,AT32F437最高可达4M flash，512K ram，楼主的型号是AT32F437VMT7，刚好存储情况是最高的。那么我想着就来测试下这么大的flash空间，读取性能到底如何，也是本贴探索的重点。

      从图中可看到，内部闪存分了ZW和NZW，也就是所谓的零等待区域和非零等待区域，零等待区域也就是256K，也就是SRAM中有256K是个FLASH闪烁当搬运所用。所以SRAM分配为最高的512K，那么零等待区域就会减少，在这里不进行分配。

 那么怎么去测试这个闪存的读取性能呢，楼主进行两个实验，通过SPI DMA传输，分别从SRAM数据搬运到SPI外设，以及闪存FLASH数据搬运到SPI外设这两个实验来进行比较。也就是说，可以把比如320*240图片的数组大小放在SRAM中，以及放在闪存FLASH中。然后通过传输时间来判断两者的读取性能。

 SPI我进行了最大分频，也就是二分频，下来有65M左右。

 

 SRAM通过DMA搬运到SPI

 由图可以看到， 320*240分辨率一张图传输18ms,按照帧率算的话(1000ms/18ms)=55fps，大概有55fps刷新率，288M主频下，SPI性能还是可以的。

    闪存FLASH通过DMA搬运到SPI

 这里楼主，放置了26张在闪存FLASH，放置一张在SRAM，由图可以看到，  27张图刷639Ms左右 ，每张24ms左右，算起来有42fps。但是要注意，我在实验的过程中，由于有一张图片刚好在零等待区域内，而且两者刷新相差了7ms。不但从帧率看差了17fps.这个闪存读取性能差距还是特别大的，特别是在所谓的非零等待区域内运行指令，这是非常恐怖的。

 

 

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  由此可知，所谓的零等待区域也只是上电时候从闪存flash搬运到SRAM，零等待区域和非零等待区域读性能相差也有7ms以上的差距。

  单纯从读取flash性能上，与SRAM相比就是差了17fps以上刷新率，这什么区别，就是1S内少刷了17张图以上。对于执行指令速度来说还是比较拉跨。

  虽然标称4M大容量闪存，但是从性能上来看，可真正可以提高效率的也只是零等待区域，也就是256K空间。对于一些算法和控制上，最好放在所谓零等待区域执行。

freebsder

厉害呀渣渣C，越玩越深了。

RCSN

freebsder 发表于 2021-12-24 16:45 厉害呀渣渣C，越玩越深了。

 这也叫玩得深，骚叔你不带这样的