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ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些 [复制链接]

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SBT30100VDC肖特基二极管:是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的,所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向压降仅为0.4V左右。SBT30100VDC多见于通信电源、变频器等,因此是高频、快速开关的理想器件。

 

SBT30100VDC参数描述

型号:SBT30100VDC

封装:TO-263

特性:低压降肖特基二极管

电性参数:30A100V

芯片材质:金属硅芯片

正向电流(Io)30A

芯片个数:2

正向电压(VF)0.52V

芯片尺寸:94MIL

浪涌电流Ifsm250A

漏电流(Ir)8uA

工作温度:-65~+150

恢复时间(Trr)<5nS

引线数量:3

SBT30100VDC.jpg

肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些:

1、正向压降:肖特基二极管的正向压降远低于快恢复二极管,因此自身功耗小,效率高。

2、反向恢复时间短:其反向恢复时间极短(可小至几纳秒),适合工作在高频条件下。

3、抗大电流:能承受大浪涌电流。反向耐压低:一般肖特基管的反向耐压一般在200V以下,一般在100V左右

4、耐高温:市面上常见的肖特基管的最高结温为100℃125℃150%175℃(结温越高,产品的耐高温性越好)。

 

肖特基二极管SBT30100VDC在结构原理上与PN结二极管有很大不同其内部由阳极金属(由钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料和N外延层(砷材料)、N型硅衬底、N阴极层和阴极金属等组成

 

N型衬底和阳极金属之间形成肖特基势垒。当肖特基势垒两端(阳极金属接电源正极,N型衬底接电源负极)施加正向偏压时,肖特基势垒层变窄,内阻变小;相反,如果在肖特基势垒的两端施加反向偏压,则肖特基势垒层变宽,其内阻变大。

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