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电源控制芯片的外置MOS管调整电路 [复制链接]

本帖最后由 qwqwqw2088 于 2021-11-17 08:29 编辑

      MOSFET栅极驱动调整电路: R16、R17、R18、D17

 

     “为了优化外置MOSFET Q1的开关工作,由R16、R17、R18、D17组成一个调整电路,用来调节来自BD7682FJ的OUT引脚的栅极驱动信号(参见电路图)。这个电路会对MOSFET的损耗和噪声产生影响,因此需要一边确认MOSFET的开关波形和损耗,一边进行优化。”

 

    开关导通时的速度由串联到栅极驱动信号线上的R16和R17来调整。

    开关关断时的速度由用来抽取电荷的二极管D17和R16共同来调整。

    通过减小各电阻值,可提高开关速度(上升/下降时间)。

 

    在此次的电路示例中,R16=10Ω/0.25W,R17=150Ω,D17=肖特基势垒二极管RB160L-60(60V/1A)。

    准谐振转换器在导通时基本上不会产生开关损耗,关断时的损耗占主导地位。

   image-20211116213805-1.png  

     要想降低开关关断时的开关损耗,需要减小R16,提高开关关断速度。但这会产生急剧的电流变化,开关噪声会变大。

 

     开关损耗和噪声之间存在着此起彼消(Trade-off)的制约关系,所以需要在装入实际产品的状态下测量MOSFET的温度上升(=损耗)和噪声情况,并确认温度上升和噪声水平在允许范围内。请根据需要将上述常数作为起始线进行调整。

 

     另外,由于R16中会流过脉冲电流,因此需要确认所用电阻的抗脉冲特性。

 

     R18是MOSFET栅极的下拉电阻,请以10kΩ~100kΩ为大致标准。

 

    关键要点:

 

     调整栅极驱动信号,并优化开关晶体管的损耗和噪声。

     加快开关的导通/关断时间可减少损耗,但开关噪声会变大。

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