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一粒金砂(初级)

转载 | 推高功率密度,茂睿芯发布氮化镓合封快充芯片MK2787/MK2788 [复制链接]

本帖最后由 Lin15818963559 于 2021-11-12 11:58 编辑

氮化镓作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潜心研发,整合优势资源,让客户更加方便地用上氮化镓技术,获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势,降低充电器的能耗,节能减排助力“3060双碳”战略。

 

茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC PWM产品:MK2697/MK2697G,其中MK2697外驱MOSFET(SJ MOS,超级硅等),MK2697G直驱E-GaN。搭配业界最全的同步整流产品, 茂睿芯为客户提供全套高频高效的快充解决方案,累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。

 

致力于为客户提供最优解,进一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系统可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788,集成GaN HEMT的ACDC功率开关,MK2787采用ESOP-8封装设计,MK2788采用DFN5x6封装设计,方便客户选用。

 

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E-GaN开通阈值和栅源工作电压都很低,对驱动电路的干扰非常敏感,在设计驱动电路时需要最小化栅极驱动环路面积、减小寄生电感,避免过冲导致器件误开通或误关断。相比外驱方式,合封显著降低驱动环路面积,提高GaN系统的可靠性,同时使得客户PCB布局更加便利。此外MK2787/MK2788采用茂睿芯独有的处于行业领先位置的高压技术,Vcc耐压高达110V,PPS应用无需稳压电路;采用了专利软驱技术,有效降低同步整流管电压应力;采用高频QR控制技术,有效减小变压器尺寸。

 

一、高功率密度33W PD解决方案: MK2787/MK2788

 

特性介绍:

高耐压: MK2788 110V Vcc 耐压,无需稳压电路

低应力: 专利软驱技术,有效降低原副边功率管应力

高集成度: 集成650V/480mΩGaN HEMT,减小PCB布板面积

高频QR: 支持高频设计,有效减小变压器体积

高效率: 33W满载效率高达92.4%

 

应用框图:

 

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满载、轻载都在精确的谷底导通,有效提升系统效率:

 

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专利软驱技术, 即使在264V AC输入,各种工况下,VDS_SR最大尖峰电压仅为74.6V,采用100V 或 80V MOSFET足以应对各种工作状态:

 

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高效率,33W满载效率高达92.4%,温升仅53.7℃(25℃环温测试):

 

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二、特色ACDC产品系列

 

针对PD/QC等快充方案变电压输出的特性,茂睿芯已陆续推出多款宽Vcc范围的ACDC解决方案,专利保护的软驱技术,可大大优化初次级MOS应力,为客户省去传统方案中的Vcc稳压电路,减小布板空间、降低BOM成本,方便灵活使用。

 

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三、品类完整、技术领先的同步整流产品系列

 

 

同时茂睿芯陆续推出了品类完整、技术领先的同步整流产品。产品涵盖了高频、低频和大电流应用。至此,茂睿芯的同步整流产品已经覆盖1MHz以下所有fly-back应用,后续还将推出支持LLC工作方式的同步整流方案。

 

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深圳市启烨科技有限公司,国产芯片代理,代理产品线包括:茂睿芯、欧创芯、芯洲、润石、聚洵、移柯、纳芯威、有容微、灵动微等多个品牌

更多信息,欢迎来电咨询,林先生,15818963559

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