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MOS管的漏电流 [复制链接]

MOS管的漏电流

 

在微型可穿戴设备中,对于电池的功耗要求很高,所以为了省电,其实电路也是很多的,最省电的无疑就是直接断开电池的供电了

 

 

这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用,NMOS作为下管控制PMOS的输出。

 

 

NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的,重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS,一般小于多少才算是极低的漏电流?

 

PMOS管IGSS& IDSS漏电流.png PMOS管 IGSS&IDSS漏电流.png

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这个与管子的功率有关,不同品牌的也有关
ID电流越大漏电流越大。
小功率的管子漏电流也小些


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可穿戴设备中应该使用的低功耗的器件,包括MOS管

管子关断时,漏电流要小,

2N7002最大1uA

image-20211012220622-1.png  


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对  基本上都是在1uA以上    详情 回复 发表于 2021-10-15 19:07

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最低没有标准,要求最低是无止境的,适合自己满足要求的就是最低的


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电池本身具有自放电特性,只要器件的漏电流远低于电池自放电即可。

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电池自放电  远远大于1uA?  详情 回复 发表于 2021-10-15 19:07

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对  基本上都是在1uA以上  


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baopodao 发表于 2021-10-13 12:34 电池本身具有自放电特性,只要器件的漏电流远低于电池自放电即可。

电池自放电  远远大于1uA?


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自放电和电池的容量有关,一般1Ah的锂电,有几十微安的自放电,以此来说100mA的锂电有几个微安的自放电。

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那么大?那50mAh的自放电是多少  详情 回复 发表于 5 天前

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baopodao 发表于 2021-10-16 11:16 自放电和电池的容量有关,一般1Ah的锂电,有几十微安的自放电,以此来说100mA的锂电有几个微安的自放电。

那么大?那50mAh的自放电是多少


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