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一粒金砂(初级)

MD18624替代UCC27523,UCC27524,UCC27525, [复制链接]

双通道5A高速低侧栅极驱动器

 

应用市场:

Power Supplies for Telecom, Datacom, and48V to 72V Battery Powered Systems

Switch-Mode Power Supplies

Motor Control, Solar Power Class-D Audio Amplifiers

电信、数据通信和48V至72V电池供电系统的电源

开关电源

电机控制,太阳能D类音频放大器

 

 

详情介绍:

The MD18624 high-frequency gate driver is designed to drive both low-side N-Channel MOSFETs with maximum control flexibility of independent inputs. Each channel can source and sink 5A peak current along with rail-to-rail output capability. Less than 10ns rise and fall time with 2.2nF load decrease the switching loss of MOSFET. MD18624 has 11ns rising and falling propagation delay which allows the systems operating at high frequency with less delay matching variations. These delays are very suited for applications requiring dual-gate drivers with critical timing, such as synchronous rectifiers. When connecting two channels in parallel to increase current-drive capability, intelligent stack detection circuit is implemented to add extra 5ns dead-time between the two channels to avoid shoot through current without adding external series resistor. The inputs can handle -10V to 26V PWM, which increases robustness against ringing from gate transformer and/or parasitic inductance of long routing traces. The input PINs thresholds are fixed and independent of the VDD supply voltage. The MD18624 is offered in 3x3 DFN-8, SOP-8, MSOP-8 package.

MD18624高频门驱动器设计用于驱动两个低压侧N沟道MOSFET,具有独立输入的最大控制灵活性。每个沟道可产生和吸收5A峰值电流以及轨对轨输出能力。在2.2nF负载下,小于10ns的上升和下降时间可降低MOSFET的开关损耗。MD18624具有11ns的上升和下降传播延迟,允许系统在高频下运行,且延迟匹配变化较小。这些延迟非常适合需要具有关键定时的双栅极驱动器的应用,例如同步整流器。当并联两个通道以增加电流驱动能力时,采用智能堆栈检测电路,在两个通道之间增加额外5ns的死区时间,以避免直通电流,而无需添加外部串联电阻器。输入可处理-10V至26V PWM,这提高了抗门变压器振铃和/或长布线迹线寄生电感的鲁棒性。输入引脚阈值是固定的,与VDD电源电压无关。MD18624采用3x3 DFN-8、SOP-8、MSOP-8封装。

 

应用原理图:

MD18624.png  

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