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ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT结构及主要参数 [复制链接]

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与其他二极管相比,肖特基二极管MBR10200FCT有什么特别之处?

 

MBR10200FCT参数描述

型号:MBR10200FCT

封装:TO-220

特性:肖特基二极管

电性参数:10A200V

正向电流(Io)10A

正向电压(VF)0.9V

芯片尺寸:86MIL

浪涌电流Ifsm150A

漏电流(Ir)10UA

工作温度:-65~+175

恢复时间(Trr)<5nS

引线数量:3

MBR10200FCT.jpg

肖特基二极管MBR10200FCT不是利用P型半导体和N型半导体之间形成PN结的原理制成的,而是利用金属和半导体接触形成金属-半导体结的原理制成的。因此,MBR10200FCT也被称为金属半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,是一种热载流子二极管。

 

典型的肖特基整流器MBR10200FCT的内部电路结构是基于N型半导体,在其上形成以砷为掺杂剂的N型外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻挡层。使用二氧化硅消除边缘区域的电场,提高管子的耐压。N基片导通电阻小,掺杂浓度比H层高100%。在基板下方形成N+阴极层,其作用是降低阴极的接触电阻。

 

通过调整MBR10200FCT结构参数,在N型衬底与阳极金属之间形成肖特基势垒。当MBR10200FCT肖特基势垒两端(阳极金属接电源正极,N型衬底接电源负极)施加正向偏压时,肖特基势垒层变窄,内阻变小;相反,如果在MBR10200FCT肖特基势垒的两端施加反向偏压,则肖特基势垒层变宽,其内阻变大。

 

肖特基整流MBR10200FCT仅使用一种载流子(电子)来传输电荷,在势垒外没有多余的少数载流子的积累。因此,不存在电荷存储问题(Qrr→0),开关特性明显提升。

 

MBR10200FCT反向恢复时间已缩短至10ns以下。因此,适合在低电压大电流条件下工作。利用其低压降特性,可以提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。

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