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ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别? [复制链接]

编辑-Z

ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个,那其中的US1MUS1G有什么区别呢?从型号上看US1MUS1G就只有后面的字母MG的不同,而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同,他们的额定电流都是1A,封装形式也是一样的,区别就在于US1M的耐压是1000V,而US1G的耐压是400V。下面是它们的详细参数对比:

 

US1M参数描述

型号:US1M

封装:SMA

特性:小电流、贴片

电性参数:1A   1000V

芯片材质:GPP

正向电流(Io)1A

芯片个数:1

正向电压(VF)1.7V

浪涌电流Ifsm30A

漏电流(Ir)5uA

工作温度:-55~+150

恢复时间(Trr)100ns

引线数量:2

us系列.png

US1G参数描述

型号:US1G

封装:SMA

特性:小电流、贴片

电性参数:1A   400V

芯片材质:GPP

正向电流(Io)1A

芯片个数:1

正向电压(VF)1.3V

浪涌电流Ifsm30A

漏电流(Ir)5uA

工作温度:-55~+150

恢复时间(Trr)50ns

引线数量:2

 

以上就是ASEMI高效恢复二极管US1MUS1G有什么区别的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

全系列封装.png

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