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一粒金砂(中级)

聚焦离子束(FIB)在芯片失效分析工作中应用 [复制链接]

聚焦离子束(FIB)在LED芯片失效分析工作中的各种应用,如缺陷点的定位、缺陷剖面的制备、透射式电子显微镜(TEM)样品的制备等,并且引用实际的案例来详细说明FIB技术如何应用于LED失效分析。

 

过去,当出现LED烧电极问题,质量争议最多的是芯片和电源。芯片厂说是电源过流过压导致,照明厂说是芯片质量不合格导致,但责任归属是需要证据的,在金鉴出来之前,业内缺乏LED芯片失效分析的实验室,也就是说,没有一家能够找出芯片质量问题的检测机构。没有科学的检测数据支持,照明厂和电源厂只能吃哑巴亏,造成很多冤案错案。金鉴实验室作为一家专注于LED产业的新业态的科研检测机构,在集合行业大数据的基础上,开创了不少新的芯片级失效模型,并已引进聚焦离子束显微镜应用于LED材料表征与失效分析,包括透射电镜( TEM)样品制备,材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。


半导体芯片横截面解析(FIB+SEM)

 

 

半导体FIB-TEM测试案例分析

(1)FIB+HRTEM+EDS 半导体薄膜领域

(2)FIB+TEM+EDS 半导体LED领域

 

(3)磨抛+离子减薄+HRTEM 量子阱领域

 

 

 

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