关于NMOS的实际过流能力和导通后抗冲击电流的问题

liyooduan

关于NMOS的实际过流能力和导通后抗冲击电流的问题 [复制链接]

 

 各位道友：本人之前一直是做数字电路的，现在开始涉及一些模拟的知识，最近一直被MOS的问题困扰，请各位道友指点：

以威世的这颗NMOS为例：

（1）它的实际过流能力是多少？很多片子写的都很大，比如这个片子ID（on）写的是120A，注释中有个规定是<300us的脉冲，那么实际电流是多少？

         我们经过实际的实验：感觉这个和Soa的曲线有关系，比如这个片子，给VGS>12V的情况下如果负载电流15A的时候长时间工作没有问题（芯片表面也是常温），如果慢慢把负载电流调整到18A则瞬间就会把锡都融化掉；这个似乎和这个SOA中的Limited by Rds(ON)这个曲线与纵坐标的交叉点有关系。这个持续电流到底怎么看？

（2）对于这个Limited by Rds(ON)曲线的疑惑：这个横坐标的vds我的理解是MOS导通后的电压，这个Vds越大，不是表示Rds(on)上消耗的功率会更大吗？怎么电流反而更大，按照理解应该是Vds越小，这个过的电流应该越大才对啊，这边真是困惑了

（3）以这个MOS为例，我们用作开关使用，当它完全导通的时候，如果后面来一个30a的冲击电流，这个MOS就会冲坏掉，但如果这个冲击电流在17A以下就不会有什么问题。那么这个SOA中的100us，1ms这些冲击脉冲的曲线难道都是给正在开启中的MOS用的，不适合在已经完全导通的MOS？完全导通后必须呀把后面可能的冲击电流脉冲控制在Limited by Rds(ON)这个斜线对于的VDS（完全导通时候的压差）下？       那那么多大电流的开关电源是如何做到这一点的？

 

我想这可能也是很多刚设计这个MOS设计的一些道友的困惑，请各位道兄给解惑一下，谢谢！

                                               

 

 

   

h472438470

这个MOS为例，我们用作开关使用，当它完全导通的时候，如果后面来一个30a的冲击电流，这个MOS就会冲坏掉，但如果这个冲击电流

18870061684

哈哈哈哈

18870061684

这个MOS为例，我们用作开关使用，当它完全导通的时候，如果后面来一个30a的冲击电流，这个MOS就会冲坏掉，但如果这个冲击电流，其实也不尽然

maychang

『比如这个片子ID（on）写的是120A，注释中有个规定是<300us的脉冲，那么实际电流是多少？』

实际电流是由你的电源电压负载性质等等外部条件决定的，可能是1A，可能是2A……谁也不知道。

电流脉冲120A标注小于300us，这个300us是测试条件，120A是指满足测试条件时该管能够承受的最大电流。

电流脉冲过去后，必须经过很长时间才能够承受下一次电流冲击。如果脉冲电流持续时间大于300us，那么该管承受电流脉冲的能力还要减少。

maychang

『给VGS>12V的情况下如果负载电流15A的时候长时间工作没有问题（芯片表面也是常温），如果慢慢把负载电流调整到18A则瞬间就会把锡都融化掉』

“瞬间” 就会熔化焊锡，这种情况非常不可能发生。恐怕你们测量数据有误。

qwqwqw2088

手册上标的都有测试条件

实际用有时要考虑结温，所以要降额，最大电流值等于MOS管标称最大的一半，实际选用的时候按三分之一，不超过一半保险。有时还有耐压、结电容等因素

maychang

『（3）以这个MOS为例，我们用作开关使用……』

抱歉，这段我完全看不懂。

chunyang

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呜呼哀哉

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liyooduan

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maychang

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