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元器件检测:失效分析主要步骤介绍 | 创芯检测 [复制链接]

一般把电子元器件的故障都称谓失效,知晓元器件的失效模式和失效机理以及设备故障的机理对于诊断设备故障,保持设备固有的可靠性是十分重要的事情。元器件失效分析的目的不仅在于判断失效性质和明确失效原因,更重要的还在于为积极预防重复失效找到有效途径。下面就一起来看看元器件检测方法及失效分析主要步骤介绍。

失效分析主要步骤:

芯片开封/开盖:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。

SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。

探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。

镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。

EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。

OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。

定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。

X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。

SAM (SAT)超声波探伤:可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:.晶元面脱层,.锡球、晶元或填胶中的裂缝,.封装材料内部的气孔,.各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。

元器件检测方法及失效分析主要步骤介绍

元器件检测方法:

1.C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检查:1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等。

2.X-Ray(这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段)

微焦点Xray用途:半导体BGA,线路板等内部位移的分析 ;利于判别空焊,虚焊等BGA焊接缺陷. 参数:标准检测分辨率<500纳米 ;几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ; 辐射小: 每小时低于1 μSv ;电压: 160 KV, 开放式射线管设计。防碰撞设计;BGA和SMT(QFP)自动分析软件,空隙计算软件,通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。

3.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸)

4.EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点,LC要借助探针台,示波器)

5.FIB 线路修改,切线连线,切点观测,TEM制样,精密厚度测量等

6.Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试,ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。

7.取die,decap(开封,开帽),研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也需要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray观察封装内部情况以及分层失效。

除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。

以上便是此次创芯检测带来的“元器件检测方法及失效分析主要步骤”相关内容,通过本文,希望能对大家有所帮助。如果您喜欢本文,不妨持续关注我们网站,我们将于后期带来更多精彩内容。如您有任何电子产品检验测试的相关需求,欢迎致电创芯检测,我们将竭诚为您服务。

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