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一粒金砂(中级)

ASEMI恢复二极管US1G的代换原则 [复制链接]

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US1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同,但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长,约为45ms,不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态快速切换到截止状态,从输出脉冲下降到零线,到反向电源恢复到最大反向电流的 10%所需的时间常用符号trr表示。快速二极管US1G主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等

 

US1G参数描述

型号:US1G

封装:SMA

特性:小电流、贴片

电性参数:1A   400V

芯片材质:GPP

正向电流(Io)1A

芯片个数:1

正向电压(VF)1.3V

浪涌电流Ifsm30A

漏电流(Ir)5uA

工作温度:-55~+150

恢复时间(Trr)50ns

引线数量:2

US1G.jpg

整流二极管US1G的代换

整流二极管损坏后,可更换同型号的整流二极管或其他型号参数相同的整流二极管。一般耐压(反向电压)高的整流二极管可以代换耐压低的整流二极管,而耐压低的整流二极管不能代换耐压高的整流二极管代替。整流电流值大的二极管可以代替整流电流值小的二极管,而整流电流值小的二极管不能代替整流电流值高的二极管。

 

开关二极管US1G的代换

开关二极管损坏后,应更换同型号的开关二极管或其他主要参数相同的其它型号的开关二极管。高速开关二极管可以替代普通开关二极管,反向击穿电压高的开关二极管可以替代反向击穿电压低的开关二极管。

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