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US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M [复制链接]

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US1MSMA封装里采用的1个芯片,是一款小电流、贴片高效恢复二极管US1M的浪涌电流Ifsm30A,漏电流(Ir)5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是:正向电流(Io)1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)1.7V,其中有2条引线。

 

US1M参数描述

型号:US1M

封装:SMA

特性:小电流、贴片

电性参数:1A   1000V

芯片材质:GPP

正向电流(Io)1A

芯片个数:1

正向电压(VF)1.7V

浪涌电流Ifsm30A

漏电流(Ir)5uA

工作温度:-55~+150

恢复时间(Trr)100ns

引线数量:2

US1M.jpg

US1M小电流、贴片封装系列。它的本体度为4.6mm加引脚长度为5.28mm,宽度为2.9mm,高度为2.62mm脚宽度为1.6mmUS1M塑料包装保证实验室可燃性,内置应变消除装置,非常适合自动放置,玻璃钝化芯片结,快速切换实现高效率,高温焊接等特点。

 

以上就是关于US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验,供应全系列高品质,高性能的整流桥和二极管产品。

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