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纯净的硅(中级)

MOSFET 数据手册,试试这样看! [复制链接]

MOS管数据手册上的相关参数有很多,以MOS管VBZM7N60为例,下面一起来看一看,MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

 

极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏

 

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VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。

VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。

ID表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。

IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。

 

EAS表示单脉冲雪崩击穿能量,如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩击穿,因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

 

PD表示最大耗散功率,是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率,使用时要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量,此参数一般会随结温的上升而有所减额。(此参数靠不住)

 

TJ, Tstg,这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间,应避免超过这个温度,并留有一定余量,如果确保器件工作在这个温度区间内,将极大地延长其工作寿命。

 

dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。

 

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热阻表示热传导的难易程度,热阻分为沟道-环境之间的热阻、沟道-封装之间的热阻,热阻越小,表示散热性能越好

 

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△VDS/TJ表示的是漏源击穿电压的温度系数,正温度系数,其值越小,表明稳定性越好。

 

VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压),对于NMOS,当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,NMOS就会导通。

 

IGSS表示栅极驱动漏电流,越小越好,对系统效率有较小程度的影响。

 

IDSS表示漏源漏电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流,一般在微安级。

 

RDS(ON)表示MOS的导通电阻,一般来说导通电阻越小越好,其决定MOS的导通损耗,导通电阻越大损耗越大,MOS温升也越高,在大功率电源中,导通损耗会占MOS整个损耗中较大的比例。

 

gfs表示正向跨导,反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力,gfs过小会导致MOSFET关断速度降低,关断能力减弱,过大会导致关断过快,EMI特性差,同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。

 

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Ciss表示输入电容,Ciss=Cgs+Cgd,该参数会影响MOS的开关时间,该值越大,同样驱动能力下,开通及关断时间就越慢,开关损耗也就越大。

 

Coss表示输出电容,Coss=Cds+Cgd;Crss表示反向传输电容,Crss=Cgd(米勒电容)。这两项参数对MOSFET关断时间略有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能量的大小,会对雷击测试项目有一定影响。

 

Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off)、tf这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小,效率高,温升低,对应的缺点是EMI特性差,MOSFET关断尖峰过高。

 

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IS 、ISM这些参数如果过小,会有电流击穿风险。

VSD、trr如果过大,在桥式或LCC系统中会导致系统损耗过大,温升过高。

Qrr该参数与充电时间成正比,一般越小越好。

 

输出特性曲线是用来描述MOS管电流和电压之间关系的曲线,特性曲线会受结温的影响,一般数据手册上会列出两种温度下的特性曲线。

 

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根据MOS管的输出特性曲线,取Uds其中的一点,然后用作图的方法,可取得到相应的转移特性曲线。从转移特性曲线上可以看出当Uds为某值时,Id与Ugs之间的关系。

 

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MOS的导通电阻跟结温是呈现正温度系数变化的,也就是结温越高,导通电阻越大。MOS数据手册上一般会画出当VGS=10V时的导通电阻随温度变化的曲线。

 

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电容容量值越小,栅极总充电电量QG越小,开关速度越快,开关损耗就越小,开关电源DC/DC变换器等应用,要求较小的QG值。

 

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MOS管一般会有一个寄生二极管,寄生二极管对MOS管有保护的作用,它的特性跟普通的二极管是一样的,也具有正向导通的特性。

 

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最大安全工作区是由一系列(电压,电流)坐标点形成的一个二维区域,MOS管工作时的电压和电流都不能超过该区域,如果超过这个区域就存在危险。

 

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可以看到,MOS管的相关参数其实有很多,其实,在一般应用中,我们主要考虑漏源击穿电压VDS、持续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、开启电压VGS(th),开关时间,工作温度范围等参数就可以了。
来自|电子电路
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版主

还有一个非常关键的就是栅极电阻的选用。非常关键

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一粒金砂(中级)

很不错

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